VT6M1T2CR
VT6M1T2CR参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100mA | FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 7.1pF @ 10V | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | FET 功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| 功率 - 最大值 | 120mW | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 100µA |
VT6M1T2CR手册
VT6M1T2CR概述
产品概述：VT6M1T2CR
VT6M1T2CR 是一款高性能的双极场效应晶体管（MOSFET），由著名的电子元器件制造商ROHM（罗姆）生产。该元器件具有一系列优越的性能参数，适用于各种需要高效开关和信号处理的电子应用。它采用表面贴装型（SMD）的封装形式，便于现代自动化生产线的焊接和安装。下面将对该元器件的一些关键参数和应用场景进行详细介绍。
关键技术特性
结构与类型： VT6M1T2CR 包含一个N沟道和一个P沟道的MOSFET，分别用于正向和反向电流的控制，使其在电源管理和逻辑电平转换中表现出色。该结构的设计使其能够在多种驱动条件下工作，无需外部额外的电路组件。
高效导通性能： 在最大导通电流（Id）为100mA时，导通电阻（RDS(on)）最大值为3.5欧姆 @ 4.5V，这一参数确保了该MOSFET在电流通过时的热损耗较低，达到高效能效比。在实际应用中，这意味着VT6M1T2CR能够有效地减少能耗，延长电路的工作寿命。
工作电压和电流： 该元器件的漏源电压（Vdss）为20V，这使其适合在较低电压设备中工作。结合其最大功率（Pmax）为120mW，VT6M1T2CR能够在多种电气条件下提供可靠的性能。
栅极驱动兼容性： VT6M1T2CR的逻辑电平栅极驱动特性，使其可在最低1.2V的栅源电压（Vgs）下安全工作。这一特性非常重要，因为它允许该MOSFET能够与较低电压的控制电路兼容，从而简化系统设计。
输入电容： 在不同漏源电压（Vds）下，输入电容（Ciss）最大值为7.1pF @ 10V，表明该元器件在高频率工作情况下，能保持较低的驱动功耗，增加电路的响应速度。
温度和可靠性： VT6M1T2CR能够在高达150°C的工作温度（TJ）下稳定运行，这一特性使得它非常适合在严苛的环境条件下使用，如汽车、工业和消费类电子产品。
应用领域
VT6M1T2CR的高效能和灵活性使其成为多种应用的理想选择，包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源、电池管理和功率转换器中，VT6M1T2CR可作为有效的开关元件。
- 逻辑电平转换：在微控制器、信号调节器和各种数字电路中，VT6M1T2CR能够轻松实现不同电压域之间的信号传输。
- 电机驱动控制：在小型电动机和步进电机的驱动电路中，该MOSFET可以快速有效地进行开关控制。
- 通信设备：在无线路由器、网络交换机和其他通信设备中，VT6M1T2CR能够用来实现信号增益和频率转换。
总结
总的来说，VT6M1T2CR是一款功能强大且灵活的MOSFET，能够为现代电子设计提供高效的解决方案。凭借其出色的性能参数和ROHM品牌的高可靠性，VT6M1T2CR是设计师在构建高性能电子系统时的优先选择。无论是在普通的消费电子，还是在高端的工业领域，该MOSFET都展现出其卓越的适用性和市场竞争力。