RRF015P03TL
RRF015P03TL参数
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 230pF @ 10V | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 1.5A，10V | FET 类型 | P 通道 |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 功率耗散（最大值） | 320mW（Ta） | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.4nC @ 10V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
RRF015P03TL手册
RRF015P03TL概述
RRF015P03TL 产品概述
产品名称: RRF015P03TL
类型: P沟道MOSFET
封装: TUMT3 (SMD-3)
品牌: ROHM（罗姆）
工作温度: 高达150°C
漏源电压 (Vdss): 30V
最大功率耗散: 320mW
连续漏极电流 (Id): 1.5A
导通电阻 (Rds On): 最大160毫欧 @ 1.5A, 10V
输入电容 (Ciss): 最大230pF @ 10V
栅极电荷 (Qg): 最大6.4nC @ 10V
栅源电压 (Vgs): ±20V
阈值电压 (Vgs(th)): 最大2.5V @ 1mA
产品特性
RRF015P03TL是一款高效能的P沟道MOSFET，专为各种商业和工业应用设计，特别是在要求高温和高电流的环境下。它具备可靠的性能特征，适合用作开关和线性应用中的关键元器件。
高温性能: 本产品能够承受高达150°C的工作温度，适用于严苛的工作条件，提供设备在极端环境下的稳定性。 小体积封装: SOT-323封装的设计使得该器件可以易于在各种空间受限的应用中集成，适合现代电子设备的小型化趋势。
应用场景
RRF015P03TL特别适合应用于：
- DC-DC转换器
- 电池管理系统
- 电机驱动
- 负载开关
- 其他需要P沟道MOSFET的电源管理电路
由于其较低的导通电阻和高效的性能，RRF015P03TL能够有效降低功耗，提高系统的整体效率，特别是在需要频繁切换的应用中表现出色。
性能分析
导通电阻: 在1.5A的工作条件下，该器件的导通电阻最大值为160mΩ，这样的低阻抗使得MOSFET在导通状态下具有较低的能量损失，适合用作开关元件。
输入电容: 输入电容Ciss最大约为230pF，低输入电容特性使得器件在开关频率较高的应用中能够实现快速开关，减少切换损耗，从而提升了整体效率。
栅极电荷: 栅极电荷Qg为6.4nC，这也表明在高频应用中，不需要过高的驱动电流，从而简化电路设计并降低额外的功耗。
最大功率耗散: 320mW的最大功率耗散能力允许其在高负载条件下稳定工作，使得此MOSFET可以可靠地处理较大电流而不怕过热。
总结
RRF015P03TL P沟道MOSFET是一个高性能、高可靠性的开关器件，广泛适用于电源管理和驱动应用。其诸多优点，如高温能力、低导通电阻和紧凑的封装，使其在现代电子产品开发中具有很高的市场竞争力。随着电子产品向高集成度和高效能发展的趋势，RRF015P03TL将成为众多创新设计中的关键组成部分。无论是在消费电子还是工业控制领域，该器件均能够提供理想的解决方案，是您设计中的理想选择。