晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | SMT6 |
IMD9AT108 产品概述
IMD9AT108 是一款高性能的数字晶体管,专为现代电子应用而设计。该产品包含一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,采用预偏压配置,极大地简化了设计复杂度并提升了电路的灵活性。这款数字晶体管在多个领域具有广泛的应用,如音频放大、电压调节、电源开关和信号处理等。
IMD9AT108 的主要规格如下:
IMD9AT108 的设计采用表面贴装型(SMT)封装,符合现代电子设备的紧凑化趋势。其封装类型为 SC-74 或 SOT-457,需注意选择适合的 PCB 布局,以达到最佳的热管理和电气性能。小尺寸封装方便于自动化组装,确保了制造过程的高效性。
IMD9AT108 适用的应用场景非常广泛,包括但不限于以下几个方面:
IMD9AT108 是一款性价比极高的数字晶体管,依靠其高性能规格和灵活的设计,适合多种电子领域的应用需求。通过合理的电路设计,工程师可以充分发挥其性能特点,推进产品的技术进步。在现代电子技术不断发展的背景下,选择这种高效的晶体管可以帮助设计师实现更高的设备集成度和功能多样性。选择 ROHM 的 IMD9AT108,意味着选择了一种可靠性与性能兼备的解决方案,助力各类电子产品的成功研发与应用。