IMD2AT108 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

IMD2AT108

商品编码: BM69415482
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
SMT6
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
数字晶体管 300mW 50V 100mA 1个NPN,1个PNP-预偏置 SOT-457
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.364
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.364
--
200+
¥0.235
--
1500+
¥0.205
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

IMD2AT108参数

安装类型表面贴装型电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA电压 - 集射极击穿(最大值)50V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电阻器 - 基极 (R1)22 千欧
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值300mW
电阻器 - 发射极 (R2)22 千欧晶体管类型1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)56 @ 5mA,5V

IMD2AT108手册

IMD2AT108概述

IMD2AT108 产品概述

IMD2AT108 是一款高度集成的数字晶体管解决方案,具备出色的性能特征,专为现代电子应用而设计。作为罗姆(ROHM)推出的产品,IMD2AT108 集成了一个 NPN 晶体管和一个 PNP 晶体管,采用 SOT-457 表面贴装封装形式,使其适合印刷电路板(PCB)上的各种空间受限的应用。其双极结构和预偏置设计极大简化了电路设计,提高了整个系统的效率。

关键性能参数

IMD2AT108 的主要参数如下:

  • 安装类型:表面贴装型(SMD),便于自动化焊接和装配。
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA,意味着它可以满足大多数小型负载的驱动需求,广泛适用于开关和放大电路。
  • 集电极截止电流 (Iceo):500nA,表示静态状态下的极低功耗,适合低功耗设计的应用。
  • 集射极击穿电压 (Vceo):最高可达50V,确保在高电压条件下的稳定工作,并具备一定的过载保护能力。
  • Vce 饱和压降:在 500µA 和 10mA 时,Vce 饱和压降最低可达300mV,显示出很好的开关效率,适用于快速开关应用。
  • 频率响应:最大跃迁频率为250MHz,能够满足高频信号处理的需求,在射频和数字信号处理领域展示了极大的灵活性。
  • 最大功率:该晶体管的额定功率高达300mW,适合多种负载的驱动,不论是小信号还是较大功率应用。
  • 基极电阻 (R1 和 R2):均为22 kΩ,提供了简洁的接入点,能够有效简化外围电路设计。
  • DC 电流增益 (hFE):在5mA 和 5V 条件下,最小电流增益为56,说明其在增强放大器工作状态下能够提供有效的信号放大功能。

应用场景

IMD2AT108 的结构特点和性能参数使其适合于多种应用,主要包括但不限于:

  1. 开关电路:由于其较高的电流和电压承载能力,非常适合应用于开关电源、继电器驱动和LED点亮等场合。

  2. 信号放大:利用其较高的电流增益,能够应用于信号放大电路,如音频放大器、传感器信号处理等。

  3. 逻辑电路:作为数字电路的核心元件,可以用于实现基本的逻辑功能(如与门、或门),满足工业控制和家电自动化的需求。

  4. 射频应用:凭借其250MHz的快速响应特性,使IMD2AT108也能被广泛使用于无线通信、射频信号放大及开关等领域。

设计优势

使用 IMD2AT108 的设计具有以下优势:

  • 集成化设计:将 NPN 和 PNP 晶体管集成在同一封装内,降低了电路设计的复杂性和PCB的占用面积。
  • 低功耗:其集电极截止电流的低值和优化的饱和压降,使得其在低功耗应用中尤为突出,能够有效延长设备的电池寿命。
  • 抗干扰能力:其较高的频率响应特性能够较好抵抗电磁干扰,从而在复杂的电磁环境中保持良好的工作性能。

小结

IMD2AT108 是一款兼具高效能和多功能的数字晶体管,适合多种电子产品中应用,其出色的性能参数确保了在各种电子电路中的成功实现。无论是在工业、消费电子、通信还是汽车电子产品中,随着市场对体积小、功耗低、高效能电路元件的需求不断增加,IMD2AT108 作为一款可靠的集成元件,无疑在未来的应用中将发挥更大的作用。