2SD2707T2LV 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SD2707T2LV

商品编码: BM69415465
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMT3(SOT-723)
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 150mW 50V 150mA NPN SOT-723-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.584
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.584
--
100+
¥0.402
--
500+
¥0.366
--
2000+
¥0.339
--
4000+
¥0.316
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SD2707T2LV参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)150mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值)300nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)820 @ 1mA,5V
功率 - 最大值150mW频率 - 跃迁250MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-723供应商器件封装VMT3

2SD2707T2LV手册

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2SD2707T2LV概述

2SD2707T2LV 产品概述

一、产品简介

2SD2707T2LV 是一款高性能 NPN 型三极管,主要用于小信号放大和开关应用。作为 ROHM(罗姆)公司推出的产品,该三极管在小型化和高效能方面表现出色,适合于多种电子设备和电路设计。封装采用 SOT-723(VMT3),这种表面贴装型设计有助于节省PCB空间,满足现代电子设备对小型化和轻量化的需求。

二、技术规格

  1. 晶体管类型: NPN
  2. 集电极电流(Ic)最大值: 150mA
  3. 集射极击穿电压(Vce_max): 50V
  4. 饱和电压(Vce(sat)): 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,最大 Vce 饱和压降为 300mV(@ 5mA,50mA)。
  5. 截止状态集电极电流(ICBO): 最大 300nA,显示出极低的漏电流特性。
  6. DC 电流增益(hFE): 在工作条件下,最小值为 820(@ 1mA,5V),这表示该三极管在信号放大时能够提供良好的增益性能。
  7. 功率耗散(P_max): 最大功率为 150mW,适合低功耗电路设计。
  8. 频率响应: 跃迁频率为 250MHz,使其能够处理高速信号,看注意产品在高频应用中的表现。
  9. 工作温度范围: 可在 150°C 的高温环境中工作,适合高温要求的工业和消费电子应用。
  10. 封装类型: SOT-723 (VMT3),显著降低了板上占用面积,简化了自动化焊接过程。

三、应用场景

2SD2707T2LV 作为一种多功能的 NPN 三极管,适用于广泛的电子应用,包括但不限于:

  • 信号放大: 在音频放大器和RF放大器电路中,利用其高电流增益能力进行信号处理。
  • 开关电路: 可用于高频开关电路,不论是用于手机、电脑还是其他消费电子产品。
  • 线性驱动: 作为线性负载驱动器,适合照明控制和其他电机驱动应用。
  • 高温环境应用: 在工业或汽车电子设备中,2SD2707T2LV 的高工作温度能力使其可以用于对温度敏感的部件。

由于其高增益和低功耗的特性,2SD2707T2LV 能够帮助工程师在设计中实现更高的性能和效率。

四、优势与特点

  • 高效能: 提供高达 820 的 DC 电流增益,出色的性能适合需要增益的应用。
  • 低功耗设计: 在最大功率125mW 下的工作,适用于低功耗设备设计。
  • 超低漏电流: 凭借最大 300nA 的 ICBO,实现更稳定的电路性能,尤其对电池供电的设备至关重要。
  • 卓越的频率响应: 250MHz 的跃迁频率适合快速切换的应用,如脉冲调制和高速数字电路。
  • 优异的热性能: 工作温度范围高达150°C,使其在极端环境下依然维护稳定性。

五、总结

总的来说,2SD2707T2LV 是一款设计精良的 NPN 三极管,提供了高性能、低功耗及小型化的优势,非常适合现代电子产品的设计需求。其多功能性和高频特性使其成为电路设计师在多种应用中不可或缺的元件选择。对于追求高效率和可靠性的应用,2SD2707T2LV 无疑是值得考虑的理想元器件。