PDTC143ET,215
PDTC143ET,215参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 30 @ 10mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 150mV @ 500µA，10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1µA | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 4.7 kOhms |
| 功率 - 最大值 | 250mW | 基本产品编号 | DTC143 |
PDTC143ET,215手册
PDTC143ET,215概述
产品概述：PDTC143ET,215 - Nexperia 数字晶体管
PDTC143ET,215 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能 NPN 预偏置数字晶体管，专为各类电子应用设计。其紧凑的 SOT-23-3 封装使其适合于空间受限的电路设计，同时又能满足一定的功率和电流要求。该元器件在现代电子产品中具有广泛的应用，包括开关电源、信号放大和开关控制电路等。
基本介绍
PDTC143ET,215 连接采用卷带（TR）包装，适用于表面贴装（SMD）技术，便于自动化生产线的使用。此器件属于有源器件，具有较低的功耗，确保在工作条件下的高效能输出，最大功率为 250mW，并且能够在最大集电极电流（Ic）为 100mA 的情况下运行，电压级别支持高达 50V 的集射极击穿电压。这些参数使得 PDTC143ET,215 特别适合于便携式和低功耗设备的设计。
电气特性
PDTC143ET,215 的重要电气特性包括：
电流增益 (hFE)：在 10mA 的集电极电流（Ic）和 5V 的集射极电压（Vce）下，最小的直流电流增益为 30。这个电流增益使得它在信号放大应用中表现良好。
Vce 饱和压降：在 Ic 为 10mA、Ib 为 500μA 的条件下，最大饱和压降为 150mV。这是确保设备高效开关性能的关键因素，低饱和压降有助于减少功率损耗。
集电极截止电流：最大值为 1µA，表明该器件能够保持良好的关闭状态，适合于高阻抗环境。
安装类型：作为表面贴装型设备，其采用的封装为 TO-236AB，符合 SOT-23-3 标准，具有较强的抗机械冲击和振动能力，适合自动贴装工艺。
应用领域
PDTC143ET,215 数字晶体管的广泛应用使得其成为多种电子设备中的关键元件。以下是其主要应用领域：
开关控制电路：能有效地实现对负载的开关控制，适用于继电器驱动、LED 控制等场合。
信号放大：适合用于小信号的放大，能够在各种模拟信号处理应用中取得良好的线性效果。
数字电路：在逻辑电路中，作为开关元件，PDTC143ET,215 可以实现高效的数字信号处理。
便携式设备：由于其小巧的体积和低功耗特性，非常适用于手机、平板电脑及其他便携式电子产品。
竞争优势
相较于同类产品，PDTC143ET,215 具备以下竞争优势：
高增益性能：其在较低的输入电流下依然能够提供显著的增益，使其更适合于各类低功耗电子项目。
卓越的线性度：保证了充分的灵敏度与可靠性，使得设备在复杂环境中仍能保持稳定性能。
可适应性强：该器件的设计适应了多种不同的电路需求，可以满足多种市场应用的需求。
总结
PDTC143ET,215 是 Nexperia 出品的一款功能强大、性能优异的数字晶体管，凭借其优异的电气特性和紧凑的封装，使其成为现代电子产品设计中的理想选择。其广泛的应用范围和可靠的性能使其在业界具有很高的认可度，是需求低功耗、高增益解决方案的设计师的不错选择。无论是在新产品开发还是旧设备改造中，PDTC143ET,215 的引入无疑能够提升整体系统性能。