CJ2301 S1 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

CJ2301 S1

商品编码: BM69415380
品牌 : 
CJ(江苏长电/长晶)
封装 : 
SOT-23(SOT-23-3)
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 350mW 20V 2.3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
82(起订量1,增量1)
批次 :
21+
数量 :
X
0.744
按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.744
--
200+
¥0.247
--
1500+
¥0.155
--
3000+
¥0.107
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

CJ2301 S1参数

功率(Pd)350mW反向传输电容(Crss@Vds)10pF@10V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)142mΩ@2.5V,2.0A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)6nC@10V
漏源电压(Vdss)20V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)405pF@10V连续漏极电流(Id)2.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA

CJ2301 S1手册

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CJ2301 S1概述

CJ2301 S1 MOSFET 产品概述

一、基本信息

CJ2301 S1 是一种 P 型场效应管(MOSFET),具有350mW的功率处理能力,额定电压为20V,最大直流电流可达2.3A。该元件采用 SOT-23(SOT-23-3)封装,具有体积小、重量轻、便于布局等特点,适用于高密度的电路设计。

二、产品特点

  1. P型晶体管设计

    • CJ2301 S1 采用 P 型 MOSFET 结构,具有较低的导通电阻,能够减少功耗,提高系统效率。适合用于需要高效开关控制与线性调节的场合。
  2. 额定参数

    • 功率:350mW,适合低功耗电路应用。
    • 电压:20V,此额定电压使其能够广泛应用于各种信号处理和功率管理系统中。
    • 电流:最大直流电流为2.3A,可满足多种负载需求。
  3. 优越的导通特性

    • 该元件在开启状态下具有较低的导通电阻(R_ds(on)),可有效降低功耗,提升系统的整体效率,与此同时还可以减少热量的产生。
  4. 小型封装

    • SOT-23 封装为三脚表面贴装器件,占用电路板面积小,便于实现高集成度的电路设计,适合各种空间受限的应用场合。

三、应用场景

CJ2301 S1 MOSFET 适用于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 电源管理

    • 适合作为 DC-DC 转换器、线性稳压器的开关元件,提供高效率的电源转换,支持电池驱动设备的功率调节。
  2. 开关控制电路

    • 可用于电机驱动、继电器驱动电路中,通过低电压控制电路实现高电流负载的开关控制。
  3. 信号处理

    • 在音频和射频应用中,CJ2301 S1 可以用作信号开关,实现对不同信号路径的控制和选择。
  4. LED驱动

    • 在LED照明应用中,CJ2301 S1 可用于驱动LED阵列,通过 PWM 控制实现调光和亮度调节。
  5. 消费电子产品

    • 随着小型化潮流的兴起,在智能手机、平板电脑、智能家居等消费电子产品中,CJ2301 S1的应用也日益广泛。

四、技术规格

  • 封装类型:SOT-23 (SOT-23-3)
  • 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  • 输入门极电压:通常在Vgs = -2V至-20V范围内有效。
  • 导通电阻(R_ds(on)):典型值可达到几百毫欧,具体值依据设备运行条件而异。
  • 存储条件:应在无腐蚀性气体的环境中存储,避免高湿度和极端温度。

五、设计注意事项

在使用 CJ2301 S1 MOSFET 时,设计人员需要注意以下几点:

  • 热管理:虽然此器件功耗相对较低,但在高电流情况下仍需提供适当的散热措施以防止过热。
  • 驱动电压:确保栅极驱动电压达到足够的水平,以实现MOSFET的完全导通状态,避免在过高阻抗状态下工作导致性能降低。
  • 负载特性:使用时需充分了解负载的特性变化,以确定合理的电路设计参数。

六、结论

CJ2301 S1 MOSFET 是一种高效、灵活的电流控制元件,适用于多种电子设备与电路中。无论在电源管理、开关控制还是信号处理等领域,CJ2301 S1均提供了极具竞争力的性能,为设计者提供了良好的选材方案。其优越的特性和可靠的性能,使其在当今电子产品的设计与应用中扮演着重要角色。