功率(Pd) | 350mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 10pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 142mΩ@2.5V,2.0A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 6nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 405pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 2.3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA |
CJ2301 S1 是一种 P 型场效应管(MOSFET),具有350mW的功率处理能力,额定电压为20V,最大直流电流可达2.3A。该元件采用 SOT-23(SOT-23-3)封装,具有体积小、重量轻、便于布局等特点,适用于高密度的电路设计。
P型晶体管设计:
额定参数:
优越的导通特性:
小型封装:
CJ2301 S1 MOSFET 适用于多种应用场景,包括但不限于:
电源管理:
开关控制电路:
信号处理:
LED驱动:
消费电子产品:
在使用 CJ2301 S1 MOSFET 时,设计人员需要注意以下几点:
CJ2301 S1 MOSFET 是一种高效、灵活的电流控制元件,适用于多种电子设备与电路中。无论在电源管理、开关控制还是信号处理等领域,CJ2301 S1均提供了极具竞争力的性能,为设计者提供了良好的选材方案。其优越的特性和可靠的性能,使其在当今电子产品的设计与应用中扮演着重要角色。