STP2NK90Z
STP2NK90Z参数
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 欧姆 @ 1.05A，10V | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | 漏源电压（Vdss） | 900V |
| 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 485pF @ 25V | 安装类型 | 通孔 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | Vgs（最大值） | ±30V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.1A（Tc） |
STP2NK90Z手册
STP2NK90Z概述
STP2NK90Z 产品概述
基本信息
STP2NK90Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 型 MOSFET（场效应晶体管），具备出色的电气特性和广泛的应用潜力。此器件主要应用于高压开关和功率控制电路，尤其适合需要高电压和高功率处理能力的场合。其封装类型为 TO-220，便于散热和安装，适合多种电子产品。
关键参数
导通电阻（Rds(on)）: 在 Vgs 为 10V 时，能够实现最大导通电阻为 6.5 欧姆，连续漏电流 Id 为 1.05A。相对较低的导通电阻确保了该 MOSFET 在导通状态下具有较小的能量损耗，从而提高了系统的效率。
漏源电压（Vds）: STP2NK90Z 可承受高达 900V 的漏源电压，使其在高压应用中表现出色，这意味着该器件能够安全地进行高压电源的开关控制。
连续漏极电流（Id）: 在标准工作条件下（Tc），连续漏极电流可达 2.1A，适用于中等功率的控制及开关应用。
功率耗散: 在结温（TJ）最高可达到 150°C 的条件下，最大功率耗散为 70W，能够在高温下可靠工作，这使得该器件在恶劣环境中的适应能力强。
阈值电压（Vgs(th)）: 阈值电压最多为4.5V @ 50µA，这确保了它能在较低的栅极驱动电压下开启，便于与微处理器等低电压逻辑电路兼容。
输入电容（Ciss）: 输入电容的最大值为 485pF（在 25V 下），这一特性使得驱动电路工作时的开关速度更高，同时降低了高频开关损耗。
栅极电荷（Qg）: 最大栅极电荷为 27nC（在10V下），这意味着在 switching 应用中，该器件所需的驱动功率较低，支持更快速的开关操作。
工作环境
STP2NK90Z 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，提供了极为灵活的应用范围，使其能够在多变的环境条件下稳定工作。这使得产品在工业自动化、汽车电子及电源管理领域尤为适用。
应用领域
该 MOSFET 可广泛应用于：
- 开关电源: 由于其高效率和高耐压特性，非常适合于开关电源设计。
- 功率放大器: 被广泛用于高功率功放电路中，确保在输出过程中不产生过大损耗。
- 电机驱动: 适合用于各种电机驱动电路，包括步进电机和直流电机控制中。
- 高压转换器: 由于其承受900V的能力，适合作为高压直流转换器的开关元件。
- 照明控制: 应用在 LED 驱动电路中，可以提高照明系统的可靠性和性能。
结论
STP2NK90Z 是一款多功能、高性能的 N 型 MOSFET，凭借其高压耐受能力、低导通电阻和出色的热管理性能，它成为了电源管理和开关控制领域中一种理想的选择。意法半导体在该 MOSFET 的设计上将创新与实用性结合，确保了其在各种工业及消费类电子产品中具有广泛而可靠的应用前景。无论是在设计高效的能量管理系统还是在复杂的控制电路中，STP2NK90Z 都无疑是一个值得信赖的选择。