注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STD16N50M2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-252，（D-Pak）
包装 :
编带
重量 :
1g
描述 :
场效应管(MOSFET) 110W 500V 13A 1个N沟道 TO-252-2
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
5.31按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.31
--
100+
￥4.43
--
1250+
￥4.02
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD16N50M2参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 280 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 19.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 710pF @ 100V |
| 功率耗散（最大值） | 110W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD16N50M2手册
无数据
STD16N50M2概述
STD16N50M2 产品概述
一、产品简介
STD16N50M2 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用先进的金属氧化物半导体技术，专为高压以及高电流应用设计。该产品具有最大漏源电压 (Vdss) 500V、连续漏极电流 (Id) 13A、最大功率耗散达到 110W，适合于各种电源管理和转换电路中。
二、关键技术参数
漏源电压 (Vdss)：500V
- 该参数表明 STD16N50M2 在承受高电压工作环境下的能力，适用于需要高耐压的电源应用。
连续漏极电流 (Id)：13A
- 该 MOSFET 可以在典型的工作条件下持久地承载 13A 的电流，适合用于电动机驱动、开关电源以及其他需要大电流的场合。
门极驱动电压 (Vgs)：10V
- 驱动电压的选取对于控制 FET 的导通状态至关重要，STD16N50M2 在 10V 驱动下类似于 280 毫欧的导通电阻，确保其在导通时效率高、损耗低。
导通电阻 (Rds(on))：最大 280 毫欧 @ 6.5A, 10V
- 导通电阻是影响功率损耗和效率的重要因素，较低的 Rds(on) 值可实现更高的效率，确保在大电流应用中发热量较少。
栅极阈值电压 (Vgs(th))：最大 4V @ 250µA
- 栅极阈值电压定义了门极开启的基本电压，在这一点上 MOSFET 开始导通，适用于多种控制逻辑电压。
栅极电荷 (Qg)：最大 19.5nC @ 10V
- 栅极电荷的大小直接影响开关速度，较小的 Qg 值有助于提高开关频率，在高频应用中表现出更好的性能。
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
- 该元器件的宽工作温度范围使其适用于恶劣环境，使其成为汽车、工业设备等领域的理想选择。
封装形式：TO-252（D-Pak）
- 表面贴装型的设计使其在PCB设计中占用面积小，易于自动化焊接，广泛应用于现代电子产品。
三、应用领域
STD16N50M2 被广泛应用于：
- 开关电源：因其高耐压和高电流能力，适合用于AC-DC 转换器、DC-DC 转换器。
- 电动机控制：在电动机驱动和控制中表现优异，能够有效应对大电流和电压的瞬变。
- 逆变器：在可再生能源系统如太阳能、风能中，用于功率逆变器中，提高系统的整体效率。
- 电源管理系统：在便携式电子设备及电池管理系统中，用于优化能量利用。
四、总结
STD16N50M2 作为 ST（意法半导体）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电气特性和可靠的温度适应性，成为多种高功率电子应用中的核心元件。无论是在稳定性或效率方面，其优异的参数都使其在现代电子设计中占据重要地位，能够满足各种苛刻的应用需求。选择 STD16N50M2，将为您的项目带来先进的技术支持和卓越的使用体验。