安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80A |
栅极电荷 | 210nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,40A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 498µJ(开),363µJ(关) |
测试条件 | 400V,40A,5 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 283W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 40ns/142ns | 反向恢复时间 (trr) | 62ns |
STGWA40H65DFB 是来自意法半导体(STMicroelectronics)的一款高性能绝缘栅双极晶体管(IGBT),其设计专为高电压、大电流的电力电子应用而打造。这款 IGBT 采用了先进的沟槽型场截止技术,具有优良的开关特性和低导通损耗,被广泛应用于电力转换、伺服驱动、逆变器及其他高功率电子设备。
安装类型: STGWA40H65DFB 为通孔式封装,方便在电路板上的安装和焊接,提供了良好的机械稳定性和电气连接性能。
电流能力: 此 IGBT 的最大集电极电流(Ic)为 80A,确保其能够在大电流条件下运行,而峰值脉冲电流(Icm)更是高达 160A,使其在突发负荷情况下也能可靠工作。
电压耐受: STGWA40H65DFB 的集射极击穿电压(Vce)最大值为 650V,能满足多种高压应用的需求,而其导通电压(Vce(on))在 15V,40A 的情况下仅为 2V,这表明其在开启状态下的能量损耗相对较低,有助于提高整体系统的效率。
开关性能: STGWA40H65DFB 的开关能量在开启时为 498µJ,关闭时为 363µJ,表明其在开关频率较高的应用中能够有效减少开关损耗。此外,其关断延迟(Td)值为 40ns,开关延迟为 142ns,这一快速响应特性使其在高频率工作的场合尤为适用。
温度范围: 该元器件的工作温度范围在 -55°C 到 175°C 之间,适合在极端环境下应用,包括工业控制、轨道交通和军事电子设备等领域。
反向恢复时间: STGWA40H65DFB 的反向恢复时间(trr)为 62ns,意味着该器件在关断状态下能够迅速恢复到非导通状态,有助于降低系统中的反向恢复损耗,对于慢速开关应用尤为重要。
鉴于其优异的电气特性,STGWA40H65DFB 通常应用于多种高电压、高功率的电力电子设备,如:
STGWA40H65DFB 采用 TO-247 长引线封装,具有良好的散热特性和低电阻的引线设计,使得在高电流工作情况下能够有效散热,延长器件的使用寿命。在设备设计时,需确保良好的散热措施,以实现最佳的性能表现。
STGWA40H65DFB 是一种高可靠性、高性能的 IGBT,结合了出色的电流承受能力、低导通损耗和快速开关特性,非常适合用于要求高度效率和可靠性的各类高电压电力电子应用。随着电力电子技术的不断发展,STGWA40H65DFB 将在未来的能源管理、智能电网和新能源汽车等领域发挥更加重要的作用。