DMN6070SSD-13
DMN6070SSD-13参数
| FET 类型 | 2 N-通道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.3A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12.3nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 588pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 1.2W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
DMN6070SSD-13手册
DMN6070SSD-13概述
DMN6070SSD-13 产品概述
概述
DMN6070SSD-13是一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），其设计旨在满足多种电力和电子应用的需求。作为双N通道MOSFET，该器件具有突出的导通特性和高效能，使其在电源管理和信号开关应用中表现优异。此产品由知名品牌DIODES（美台）生产，采用表面贴装技术（SMD），其可靠性和耐用性使其适合广泛的工业和消费电子市场。
主要特性
FET类型和功能：DMN6070SSD-13配置了两个N通道场效应管，专门设计用于逻辑电平门应用。这种配置使其特别适合在高逻辑电平和低逻辑电平之间转换信号，满足现代数字电路的需求。
电气参数:
- 漏源电压（Vdss）：该器件的最大漏源电压为60V，这为其在高压应用下的使用提供了良好的保障。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，其连续漏极电流可达3.3A，能够有效承受负载。
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V栅源电压和12A漏极电流的条件下，最大导通电阻为80毫欧，确保了更低的功耗和更高的工作效率。
阈值电压（Vgs(th)）：在较低的栅源电流（约250μA）情况下，Vgs(th)的最大值为3V，使得该MOSFET在较低电压下即能可靠工作，适合低电压信号的驱动应用。
栅极电荷（Qg）：最大栅极电荷为12.3nC（在10V条件下），这一特性使得开关速度较快，适合高频应用。
输入电容（Ciss）：在30V下，最大输入电容为588pF，这对于高频信号传输非常重要，减少了信号衰减和延迟。
功率和温度特性：该器件的最大功耗为1.2W且可在-55°C至150°C的广泛工作温度范围内运行，极大地提升了其在严苛环境下的适用性。
封装类型：DMN6070SSD-13采用流行的8-SOIC封装，外形紧凑，且易于在表面贴装技术（SMT）下进行安装，适合现代电子设备小型化的发展趋势。
应用场景
DMN6070SSD-13的多种电气特性使其适合于广泛的应用，包括但不限于：
- 电源管理：在转换器、开关电源和DC-DC转换器中担任开关元件，提供高效、节能的电源解决方案。
- 信号开关：广泛应用于逻辑电平转换和信号放大器中，满足高速数字逻辑设备的需求。
- 电机控制：在电机驱动器中，可以用作开关器件，以控制电机的启停和调速。
- 汽车电子：符合汽车电子的高可靠性、长寿命要求，适用于电动窗、车灯和其他电子控制模块中。
结论
作为一款具有高性价比及出色性能的N通道MOSFET，DMN6070SSD-13在现代电子应用中扮演着不可或缺的角色。无论是用于一般电源管理，还是在更为复杂的电机控制和信号开关场合中，其稳定性和高效能都使其成为众多电子设计工程师的首选。DIODES（美台）作为该产品的制造商，保证了其可靠性与技术支持，确保用户可在各种应用中放心使用。