类型 | 齐纳 | 单向通道 | 2 |
电压 - 反向断态(典型值) | 6.5V | 电压 - 击穿(最小值) | 9.5V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 14.2V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 1.7A |
功率 - 峰值脉冲 | 24W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3 |
在现代电子设备中,电源管理和信号保护是设计中的重要考量。对于各种电路,特别是对易受静电放电(ESD)、电压瞬变等影响的敏感元器件,选择合适的保护器件至关重要。MMBZ10VAL-7-F 是一款由 DIODES(美台)公司生产的齐纳二极管,具有宽广的应用场景,能够有效地保护电路免受过电压和电流冲击的危害。
MMBZ10VAL-7-F 是一种表面贴装型(SMD)齐纳二极管,封装类型为 SOT-23-3,适合于高密度的电路板布局。其典型的反向断态电压为 6.5V,最小击穿 voltage 为 9.5V,适用于需要 9V 以上保护电压的电路。该器件在接收到脉冲电流 (Ipp) 的情况下(10/1000µs),其最大峰值脉冲电流可达 1.7A,能够快速响应瞬态电压变化,提供优异的保护性能。
电压性能: MMBZ10VAL-7-F 提供高可靠的过压保护,其最大电压(箝位电压)可达到 14.2V。在电路遭受异常高电压时,齊納二極管能够迅速导通并且将多余的电压与电流引导至地,防止电流对敏感元件造成损害。这一功能在现代电子设备的电源线路保护、信号线保护等方面中具有广泛的应用。
温度特性: 该器件可在极宽的工作温度范围内正常工作,其工作温度介于 -65°C 到 150°C。此特性使得 MMBZ10VAL-7-F 能够在各种环境条件下保持良好的性能,适合于汽车、工业、消费电子以及其他应用场景。
功率性能: MMBZ10VAL-7-F 的最大峰值脉冲功率可达 24W,这意味着它能够承受高功率的瞬态电压,不易发生失效,在实际应用中大大提高了产品的耐用性。
MMBZ10VAL-7-F 可广泛应用于:
在设计电路时,建议设计师在关键信号线上或电源入口处使用 MMBZ10VAL-7-F 进行瞬态电压保护。此外,尽量避免在高温、高湿环境下工作,以确保器件长期稳定性和可靠性。同时,需要注意的是,齐纳二极管需要合理配置串联电阻,以控制通过的电流,以免影响器件的性能。
MMBZ10VAL-7-F 是一款性能卓越的齐纳二极管,它以其优越的电压保护特性、宽广的工作温度范围和良好的功率承受能力,成为了现代电子产品设计中的重要选择。无论是在消费电子、汽车电子还是工业控制系统中,MMBZ10VAL-7-F 都能够满足用户对电路保护的严苛要求,保障电子产品的安全和可靠运行。