STP9NK90Z
STP9NK90Z参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.3 欧姆 @ 3.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2115pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP9NK90Z手册
STP9NK90Z概述
STP9NK90Z 产品概述
一、产品简介
STP9NK90Z 是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道MOSFET，设计为满足电源管理、逆变器和射频应用中的高压、高电流需求。这款器件具有高达900V的漏源电压（Vdss）和连续漏极电流8A（在适当的散热条件下），使其能够适用于多种高电压应用场景。
二、基本参数与性能
漏源电压（Vdss）: STP9NK90Z的最大漏源电压为900V，适合用于高压环境，能满足大多数工业和消费电子设备的电压要求。
漏极电流（Id）: 在25°C时，其连续漏极电流为8A，这使得该MOSFET可以轻松驱动高功率负载，如电机、变压器和其他大功率设备。
导通电阻（Rds(on)）: 在10V的栅极驱动电压下，@3.6A的导通电阻最大值为1.3Ω，低值的导通电阻有助于减少导通损耗，从而提高整体能效。
栅极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的最大栅极阈值电压为4.5V@100µA，保障了MOSFET在较低电压下的良好导通特性。
栅极电荷（Qg）: 当栅极驱动电压为10V时，栅极电荷最大值为72nC，表示其在开关过程中能够实现快速响应和高频操作。
输入电容（Ciss）: 在25V时的输入电容为2115pF，这一参数影响了MOSFET的开关速度和驱动电路的设计。
功率耗散（Pd）: STP9NK90Z的最大功率耗散为160W（在适当的散热条件下），这确保了该器件在高负荷运行时不会因为过热而失效。
工作温度范围: 器件能够在-55°C至150°C的广泛温度范围内工作，适合各种恶劣环境下使用。
三、封装与安装
STP9NK90Z采用TO-220AB封装，可通过通孔安装，便于散热设计和PCB布局的优化。TO-220封装的设计有助于强大的热管理性能，确保在瞬时功率较大的应用中高效工作。
四、应用领域
STP9NK90Z适用的市场和应用相当广泛，包括但不限于：
- 电源转换：适合用于开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和DC-DC转换器等电源管理应用。
- 电机驱动：可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机，满足工业自动化控制的需求。
- 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的功率逆变器中，用于将直流电转换为交流电。
- 汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车中的电源管理模块，把控高电压与高电流的需求。
五、总结
STP9NK90Z N沟道MOSFET以其900V的高击穿电压、出色的导通电阻和良好的工作温度范围，成为高压和高电流应用中的理想选择。随着现代电子设备对效率和性能的日益严苛要求，STP9NK90Z在电源管理和电机控制领域的应用将会越来越广泛。意法半导体以其可靠的质量和创新的技术，使得STP9NK90Z成为了市场上备受认可的电子元器件之一。