DMN32D2LV-7
DMN32D2LV-7参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.2 欧姆 @ 100mA，4V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 400mA | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 39pF @ 3V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 功率 - 最大值 | 400mW | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
DMN32D2LV-7手册
DMN32D2LV-7概述
DMN32D2LV-7 产品概述
概述
DMN32D2LV-7 是一款高性能的双 N 通道场效应管（MOSFET），由著名电子元器件制造商 DIODES（美台）出品。此器件专为需要高效能和小尺寸的应用而设计，采用表面贴装型封装（SOT-563），适合各种现代电子设备，尤其是在要求空间紧凑和热管理有效的场合中。
关键规格
- 安装类型: 表面贴装型
- 最大导通电阻 (Rds(on)): 1.2 欧姆（在100mA，4V下，温度为25°C时）
- 最大连续漏极电流（Id）: 400mA
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 输入电容（Ciss）: 39pF（在3V下）
- 工作温度范围: -55°C至150°C
- 功率处理能力: 400mW
- 阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为1.2V（在250µA下）
产品特点
高效能: DMN32D2LV-7 的最大导通电阻为1.2欧姆，表现出优秀的低功耗特性，这使其非常适合用于高频开关和线性应用。低 Rds(on) 在工作时能够显著减少电能损耗，提高整体电路的效率。
宽工作温度范围: 该器件能够在极端环境下工作，温度范围从-55°C到150°C，适合各种工业、汽车和消费类电子产品。这种特性使得DMN32D2LV-7 在严苛条件下依然能够保证稳定的性能。
双 N 通道设计: 作为双 N 通道 MOSFET，此元件可以在单一封装中同时提供两个独立的开关，这极大地节省了电路设计中的空间并简化了 PCB 布局。
逻辑电平门功能: 此产品支持逻辑电平驱动，使其能够直接与微控制器（MCU）和其他数字电路相结合，进一步增强了设计的灵活性。
小型化封装: SOT-563 封装设计不仅体积小巧，还提供出色的热传导特性，使得 DMN32D2LV-7 特别适合高密度电路板布局，能够满足现代电子产品越来越紧凑的设计趋势。
应用场景
DMN32D2LV-7 由于其小型和高效能的特性，广泛应用于以下领域：
- 移动设备: 在智能手机、平板电脑等消费电子产品中，用于开关电源管理。
- 汽车电子: 应用于汽车传感器、控制器和电机驱动器，确保在各种环境温度下持续稳定运行。
- 工业设备: 在工业自动化设备中，MOSFET 可用于传感器和执行器的控制，优化能效，提高系统可靠性。
- LED 驱动: 由于其快速开关特性，DMN32D2LV-7 也是LED照明驱动电路中的理想选择。
- 功率管理: 可以用于电源管理 ICs、DC-DC 转换器等应用，有效提高能效和降低散热。
综合
DMN32D2LV-7 是一款兼具高性能和广泛应用的双 N 通道 MOSFET，出色的规格和灵活性使其在如今的电子产品中具有不可替代的地位。凭借其低导通电阻、宽工作温度范围和支持逻辑电平驱动的能力，该器件成为了许多电路设计师的首选。无论是在消费、工业还是汽车电子方面，DMN32D2LV-7 都能够提供所需的高效和可靠性，助力客户在激烈市场中保持竞争优势。