DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13 产品概述

DMTH3004LK3-13 是由Diodes Incorporated制造的一款高性能N沟道MOSFET，适用于多种电子应用，包括开关电源、负载开关和电流驱动应用。这款场效应管的设计旨在提供卓越的导电性能和较低的开关损耗，能够在极端环境下稳定工作。

关键规格

1. 电流承载能力：

   • DMTH3004LK3-13在25°C的环境温度下，连续漏极电流（Id）可达21A；在更高的结温（接触点温度, Tc）下可以承受高达75A的电流。这一高电流能力使得该器件非常适合电源管理、功率转换和电动汽车等高功率应用。

2. 导通电阻：

   • 在Vgs为10V和Id为20A时，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）最大值为4毫欧。这一低导通电阻确保了在导通状态下能有效降低功率损耗，提高能效。

3. 栅极阈值电压：

   • 器件的Vgs(th)最大值为3V（在250µA下测得），这意味着其能够在较低的栅极驱动电压下开启，提高了设计的灵活性和兼容性。

4. 电压规格：

   • 漏源电压（Vds）为30V，这使得该MOSFET适用于多种低至中等电压的应用，尤其是在现代开关电源和DC-DC转换器中。

5. 输入电容和栅极电荷：

   • 最大输入电容（Ciss）为2370pF（在15V时），而栅极电荷（Qg）在10V时为44nC。这些参数表明该器件在高频操作下的表现出色，能够支持快速开关而不会引入显著的延迟。

应用场景

DMTH3004LK3-13 MOSFET主要应用于：

• 开关电源：在高效电源转换中充当主要开关器件。
• 电动汽车：用于电动机控制和电源管理。
• 负载开关：用于在不同的运行模式之间切换，提供高效率和小尺寸的解决方案。
• 高频开关应用：由于其低门驱动要求和快速开关特性，适合用于RF和其他高频应用。

环境与可靠性

该MOSFET具有极宽的工作温度范围，从-55°C到175°C，这使得它在高温和低温环境中均能稳定工作，符合汽车及工业应用中的严苛要求。此外，其TO-252封装设计支持表面贴装，方便在现代电子电路中进行高效组装与紧凑设计。

总结

DMTH3004LK3-13凭借其优异的电性能、高电流承载能力及宽温度范围，为设计工程师提供了一种理想选择，适合于多种高效和可靠的电源管理和开关应用。无论是用于通用电子产品，还是针对特定的汽车和工业需求，该MOSFET的表现都能够满足现代电子设备对性能和效率的双重挑战。选择DMTH3004LK3-13，将有助于设计出更高效、更可靠的电子产品。