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SIRA18DP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK-SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.3W；14.7W 30V 33A 1个N沟道 PowerPAK-SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.71按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.71
--
100+
￥1.37
--
750+
￥1.22
--
1500+
￥1.15
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIRA18DP-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 33A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21.5nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | +20V，-16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 3.3W（Ta），14.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIRA18DP-T1-GE3手册
无数据
SIRA18DP-T1-GE3概述
SIRA18DP-T1-GE3 产品概述
概述
SIRA18DP-T1-GE3 是一款由知名半导体制造商 VISHAY（威世）生产的 N 通道 MOSFET 元件，采用 PowerPAK® SO-8 封装。此产品旨在满足高功率应用场景中的需求，具有卓越的电气性能和热管理特性，适用于开关电源、电机驱动、功率管理、电源管理等广泛领域。
主要技术参数
- FET 类型：N 通道
- 漏源电压 (Vdss)：30V
- 连续漏极电流 (Id)：33A（在结温 Tc 下）
- 导通电阻 (Rds(on))：在 Vgs = 10V、Id = 10A 时，最大 Rds(on) 为 7.5 毫欧。
- 驱动电压：支持 4.5V 和 10V 的驱动电压，这使得 SIRA18DP-T1-GE3 能够在多种驱动条件下保持高效表现。
- 阈值电压 (Vgs(th))：在 Id = 250µA 时最大值为 2.4V，确保了优良的开启性能。
- 输入电容 (Ciss)：在 Vds = 15V 时最大值为 1000pF。
- 栅极电荷 (Qg)：在 Vgs = 10V 时最大值为 21.5nC，充分表明该器件具有良好的开关特性。
- 工作温度范围：可工作于 -55°C 至 +150°C 的极广温度范围，使其适合于各种严苛环境。
- 功率耗散：在空气绝缘状态下最大为 3.3W，而在封装接触处最大可以达到 14.7W，这对于要求高功率处理的应用至关重要。
功能与应用
SIRA18DP-T1-GE3 的设计使其在多个应用中表现出色，包括：
- 开关电源：高效率的开关电源设计，尤其是在中等至高电流需求的场合。
- 电机驱动：在电动机控制中提供高效的电源开关，支持快速开关与高频操作。
- 功率管理系统：用于电源管理和分配，提高能效，控制电流和电压供应。
- 便携式设备：广泛应用于需要高效能源转换的小型设备中。
- 汽车电子：在汽车电源管理中，提供高可靠性和稳定性。
优势
作为一款先进的 N 通道 MOSFET，SIRA18DP-T1-GE3 具备多个显著优势：
- 低导通电阻：其在高电流下的极低导通电阻有助于减少能量损耗，提升系统效率。
- 高功率处理能力：能在较高的功率条件下正常工作，适合日益增长的高性能需求。
- 宽工作温度范围：其高耐温特性使其在恶劣环境下依然能够稳定运行，为设计人员提供了更大的灵活性。
- 小型化设计：采用 PowerPAK® SO-8 封装，适合空间有限的应用，无论是在消费电子产品还是工业设备中。
结论
SIRA18DP-T1-GE3 是一款功能丰富且性能卓越的 N 通道 MOSFET，适用于各种高效能要求的电气应用。其低导通电阻、高结温性能和出色的功率处理能力，使其成为现代电源管理、开关电源及电机驱动应用中的理想选择。对于设计工程师来说，选择 SIRA18DP-T1-GE3 将为其产品提供强大的性能基础，推动其在日益竞争的市场中取得成功。