IRFS4010TRL7PP
IRFS4010TRL7PP参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 190A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 毫欧 @ 110A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 230nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 9830pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 380W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D2PAK |
| 封装/外壳 | TO-263-7，D²Pak（6 引线 + 接片），TO-263CB |
IRFS4010TRL7PP手册
IRFS4010TRL7PP概述
IRFS4010TRL7PP 产品概述
产品背景
随着电子产品向高效能、高可靠性和小型化的方向发展，场效应管（MOSFET）的需求日益增长。IRFS4010TRL7PP是一款由英飞凌（Infineon）制造的N通道MOSFET，其兼具高电压和高电流处理能力，适合广泛的电源管理和电机控制应用。其卓越的性能使其成为高效能电路设计中的理想选择。
核心参数
- FET类型：N通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物场效应管）
- 漏源电压（Vdss）：100V
- 连续漏极电流（Id@25°C）：190A
- 最大导通电阻（Rds On）：4毫欧 @ 110A, 10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大4V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大230nC @ 10V
- 输入电容（Ciss）：最大9830pF @ 50V
- 功率耗散：最大380W（保持结温Tc）
- 工作温度范围：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 封装类型：D2PAK（TO-263-7）
应用场景
IRFS4010TRL7PP可广泛应用于多种高效能电源转换场景，包括但不限于：
开关电源：在直流-直流转换器、电源适配器和其它类型电源管理应用中，IRFS4010TRL7PP以其低导通电阻和优异的电流承载能力，帮助改善整体效率，减小发热量。
电机驱动器：在电机控制应用中，该MOSFET能够提供高电流和足够的功率处理能力，可被用作H桥电路中的开关元件，提升电机的控制精度和响应速度。
汽车电子：鉴于其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C），IRFS4010TRL7PP适合应用于汽车电子系统，尤其是在需要高功率处理和高温稳定性的场合，如电池管理系统和动力系统。
工业自动化：在高负荷及极端工作环境中，IRFS4010TRL7PP提供了可靠的性能，适合用于电源模块、照明控制、以及其他工业设备的开关设计中。
设计优势
高效能：IRFS4010TRL7PP具备低导通电阻（Rds On），在高电流情况下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。
高功率处理能力：其380W的功率耗散能力，使其在极端工况下亦能正常工作，保障了电路的安全性和稳定性。
宽温范围：-55°C至175°C的工作温度允许更广泛的应用，尤其在恶劣环境中表现良好。
强大的电流承载能力：最高190A的连续漏极电流能力，适用高功率应用且减少了对多路并联MOSFET的需求，简化电路设计。
结论
综上所述，IRFS4010TRL7PP是英飞凌推出的一款具有卓越性能的N通道MOSFET，凭借其高电流、高电压的特性和卓越的热管理能力，成为高频开关电源、电机驱动及汽车电子等应用中理想的选择。其低导通电阻、宽工作温度范围和高功率处理能力，使其在要求严苛的应用中也能稳定工作。因此，对于要求高效能和高可靠性的设计者而言，IRFS4010TRL7PP无疑是一个值得考虑的卓越选择。