额定功率 | 600mW | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 45V | 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 700mV @ 50mA,500mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 100mA,1V | 功率 - 最大值 | 600mW |
频率 - 跃迁 | 80MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
概述
BC807DS,115 是一款高性能的 PNP 型双极性晶体管(BJT),由知名品牌 Nexperia(安世)制造。该元器件设计用于低功耗、高效率的信号放大和开关应用,广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域。BC807DS,115 采用 SC-74 封装(也称为 SOT-457),确保其适应各种表面贴装(SMD)的焊接工艺。
基本参数
应用场景
BC807DS,115 可广泛应用于以下领域:
消费电子:在移动电话、平板电脑和家电等设备中,用于音频放大、开关控制和信号处理环节。
通信设备:用于基站、路由器和信号放大器中,确保信号在传输过程中的质量和稳定性。
工业控制:在传感器应用、自动化设备和机器人控制中,BC807DS,115 可作为开关和放大元器件,提升系统的灵敏度和效率。
汽车电子:在汽车音响、灯光控制和导航系统中,BC807DS,115 可用于信号调节和控制电路。
性能特点
高集电极电流能力:500mA 的 Ic 能力确保 BC807DS,115 在高负载条件下仍然发挥良好性能,适用于严格的应用环境。
低饱和压降:在需要低功耗设计的场合,700mV 的饱和压降可以有效减少功耗,提高系统效率。
优越的温度稳定性:产品设计兼顾高达 150°C 的工作温度,确保在极端条件下的可靠性。
紧凑包装:SC-74/SOT-457 封装设计极大节省了 PCB 空间,方便与其他元器件配合使用。
高增益特性:160 的最低电流增益保证了信号的强度和放大效果,适合多种信号源的应用需要。
总结
BC807DS,115 是一款功能强大且适应性强的 PNP 型晶体管,凭借其出色的电气性能和高温稳定性,使其成为现代电子应用中的重要组成部分。通过 Nexperia 的优质制造和创新设计,该元器件不仅提高了产品的整体效率,还为设计师和工程师提供了极大的灵活性,为多种应用情境提供支持。选用 BC807DS,115,能够帮助用户在设计和实现电子产品时达到最佳性能和效果。