FM25V10-GTR 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

FM25V10-GTR

商品编码: BM0000003998
品牌 : 
CYPRESS(赛普拉斯)
封装 : 
8-SOIC
包装 : 
编带
重量 : 
0.304g
描述 : 
铁电存储器(FRAM) 40MHz 1Mbit SPI 2V~3.6V SOIC-8
库存 :
11(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
23.22
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥23.22
--
100+
¥21.12
--
1250+
¥20.5
--
2500+
¥20
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述

FM25V10-GTR参数

存储器类型非易失存储器格式FRAM
技术FRAM(铁电体 RAM)存储容量1Mb (128K x 8)
存储器接口SPI时钟频率40MHz
电压 - 供电2V ~ 3.6V工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
安装类型表面贴装型封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOIC

FM25V10-GTR手册

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无数据

FM25V10-GTR概述

FM25V10-GTR 产品概述

FM25V10-GTR 是一款由 Cypress(赛普拉斯)公司生产的高性能非易失性存储器,基于铁电体 RAM(FRAM)技术。这款存储器提供了1Mb(128K × 8)的存储容量,适用于对速度和数据保存的高要求场景。具备 SPI 接口,FM25V10-GTR 以 40MHz 的最高时钟频率工作,并支持 2V 到 3.6V 的宽工作电压,为各种电子应用提供了灵活的供电选项。

核心技术与优势

  1. 非易失性存储: FRAM 技术的最大优势之一是其非易失性能。即使在断电或意外关机的情况下,存储在 FM25V10-GTR 中的数据也能得以保留,这对于需要频繁读写数据的应用场景至关重要,如智能电表、工业控制系统和汽车电子等。

  2. 高速读取与写入: 相较于传统的 EEPROM 和闪存,FM25V10-GTR 提供了更高的数据写入和读取速度。使用 SPI 接口,该存储器能够以高达 40MHz 的速率进行数据的传输,有效缩短了数据处理时间,提升了设备的整体性能。

  3. 高耐用性: FRAM 存储器具有极高的写入耐久度,能够承受高达 10^12 次的写入周期,相对传统 EEPROM 仅能支持数万次写入大大提高。这使得 FM25V10-GTR 特别适合需要频繁写入和更新数据的应用。

  4. 宽工作温度范围: 该器件的工作温度范围从 -40°C 到 85°C,使 FM25V10-GTR 可在各种极端环境下正常工作,适用于工业、汽车和军事领域等高要求的应用。

  5. 紧凑的封装设计: FM25V10-GTR 采用表面贴装型 SOIC-8 封装,其尺寸仅为 3.90mm(宽),这使得其适用于空间有限的电路设计,符合现代电子设备对于小型化设计的需求。

应用领域

  1. 智能电表: FM25V10-GTR 可用于存储电能计量数据,确保在掉电情况下数据的完整性,并支持快速读取和写入,提高电表的响应速度。

  2. 工业自动化设备: 在工业控制系统中,该存储器可用于存储传感器数据、设置参数和状态信息,确保在实际操作中的数据记录与安全。

  3. 汽车电子: 汽车中的智能驾驶辅助系统、车载信息娱乐系统等都需要快速、安全的存储解决方案,FM25V10-GTR 可以为其提供高效的数据存储与管理。

  4. 消费电子产品: FM25V10-GTR 的高性能使其适合于各种消费类电子产品中,例如智能家居设备、可穿戴设备等,满足快速响应与安全存储的需求。

结论

综上所述,FM25V10-GTR 是一款高性能的铁电 RAM 存储器,凭借其非易失性、高速读写、高耐用性以及宽广的工作温度范围,成为了广泛应用于智能电表、工业自动化、汽车电子和消费电子等多个领域的理想选择。随着技术的发展和应用的需求增加,FM25V10-GTR 将在未来的数字化时代中,继续发挥其重要作用。