DRTR5V0U1LP-7B
DRTR5V0U1LP-7B参数
| 类型 | 齐纳 | 单向通道 | 1 |
| 电压 - 反向断态（典型值） | 5.5V（最大） | 电压 - 击穿（最小值） | 6V |
| 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 10V（标准） | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 5A（8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 汽车级 |
| 不同频率时电容 | 1pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 0402（1006 公制） |
| 供应商器件封装 | X1-DFN1006-2 |
DRTR5V0U1LP-7B手册
DRTR5V0U1LP-7B概述
DRTR5V0U1LP-7B 产品概述
产品简介
DRTR5V0U1LP-7B 是由美台（DIODES）公司生产的一款高效、可靠的 TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为电气保护应用设计。该产品采用表面贴装封装（0402），在不同环境和应用条件下提供卓越的瞬态电压保护性能，特别适合汽车电子设备和其他高要求电子系统。
主要特点
击穿电压：DRTR5V0U1LP-7B 的最小击穿电压为 6V，这意味着在超过此电压时，它能够迅速以低阻抗模式导通，帮助保护下游电路免受瞬态过电压的影响。
反向断态电压：该器件的典型反向断态电压为 5.5V，最大限制，确保其在正常工作条件下能够稳定运作，同时在遇到异常电压时能够快速响应。
电压箝位：在峰值脉冲电流（Ipp）达到 5A 时，该器件能够有效限制电压至最大 10V，为敏感的电子元件提供双重保护，保证其安全运行。
高速响应：DRTR5V0U1LP-7B 在 10/1000µs 区间提供尖峰脉冲电流的支持，宽广的工作范围使其在面对各种突发情况时，能够做出快速反应，有效抑制电压瞬态。
极端工作温度范围：该器件可在-65°C 到 150°C 的宽阔温度范围内工作，使其非常适合应用于汽车电子等要求较高的工作环境，确保在极端条件下的可靠性和稳定性。
低电容特性：在 1MHz 频率下的电容值为 1pF，极低的电容保证了其在高频应用中的表现，使得 DRTR5V0U1LP-7B 能够适应多种高频信号应用。
封装设计：采用 X1-DFN1006-2 表面贴装型封装，器件尺寸小，便于在空间有限的PCB设计中使用，同时支持自动化焊接与安装。
应用领域
DRTR5V0U1LP-7B 的设计使其适合多种应用环境，特别在汽车电子、工业设备及通信设备中表现优异。其主要应用场景包括：
车载电子：可用于保护车载信息娱乐系统、导航系统以及其他各种车载电子设备，确保其在电压波动或电涌情况下的稳定性。
工业控制：适用于工业自动化设备以及各种电气控制系统，起到防止设备损坏的重要作用，提升系统整体的安全性和可靠性。
通信设备：在通信领域，保护信号处理和数据传输模块，使得在高频和复杂信号环境下亦能保持信号传输的完整性与稳定性。
总结
综上所述，DRTR5V0U1LP-7B 是一款高效、可靠的 TVS 二极管，凭借其宽广的击穿电压范围、高峰值脉冲承载能力以及极端环境适应性，使其在多个行业中广泛应用。选择 DRTR5V0U1LP-7B 作为瞬态电压保护元件，能够极大提升电路设计的整体稳健性，减少设备因电压瞬变而引发的故障，确保电子设备在各种条件下的稳妥运行。