RQ5E035ATTCL

RQ5E035ATTCL 产品概述

概述

RQ5E035ATTCL 是一款由 ROHM（罗姆）制造的高性能 P 型沟道 MOSFET（场效应管），具有卓越的电气特性和优良的热性能。这款器件为电子电路设计提供了有效的开关和放大功能，广泛应用于汽车、通信及消费电子等领域。其表面贴装（SMD）封装呈现出极高的集成度，适合于空间有限的应用场合。

基础参数

RQ5E035ATTCL 的核心参数包括：

• 最大漏极电流 (Id): 3.5A（在环境温度 Ta 条件下），为多种应用提供了必要的电流容量。
• 最大漏源电压 (Vdss): 30V，这使得器件可以在相对高压环境下稳定工作。
• 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 50 毫欧 @ 3.5A，这表明在高电流工作条件下具有较小的电阻损耗，降低了功耗。
• 功率耗散 (Pd): 最大功率耗散为 1W，这意味着在设计电路时可以有效控制热量，而不会导致器件过热。

驱动与特性

该 MOSFET 的驱动电压范围为 4.5V 至 10V，具有较低的栅极驱动要求。Vgs(th)（栅源阈值电压）最大为 2.5V @ 1mA，这意味栅源电压较低时就能有效导通，有助于实现高效的电源管理。

此外，该器件在 25°C 下的输入电容 (Ciss) 为最大 475pF @ 15V，这对于高频应用来说，能够有效降低开关损失，提升工作效率。栅极电荷 (Qg) 在 10V 驱动下的最大值为 10nC，进一步提升了开关速度，适合快速开关的应用。

热特性

RQ5E035ATTCL 在 150°C 的工作温度（TJ）下提供了良好的稳定性，可以在严格的环境条件下工作。这使得该 MOSFET 非常适合需要高可靠性和耐高温的电子应用。

应用领域

RQ5E035ATTCL 被广泛应用于各种电子产品的电源管理中，例如：

• 汽车电子：在电动机驱动、灯光控制、以及电池管理系统中，提供高效的开关控制。
• 通信设备：用于射频功率放大器和开关电源。
• 消费电子：在家用电器、便携式设备中，优化电源转换效率和发热量。

由于其卓越的导通特性和较低的功耗，RQ5E035ATTCL 适合用于需要频繁开关的场合，如 DC-DC 转换器、LED 驱动器，以及其他相关电源应用。

封装与安装

RQ5E035ATTCL 使用 TSMT3（SOT-346）封装，以支持表面贴装。在设计时，可以有效利用 PCB 空间，提高电路的集成度与可靠性。

结论

RQ5E035ATTCL 是一款高效、可靠的 P 型沟道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高耐压能力和宽温工作范围，成为现代电子电路设计中的重要元件。无论是在汽车电子、通讯设备还是消费类电子产品中，RQ5E035ATTCL 都展现出极高的适应性和性能，满足当今复杂应用所需的各项指标。