注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFU120PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-251-3
包装 :
管装
重量 :
0.687g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W；42W 100V 7.7A 1个N沟道 TO-251-3
库存 :
2250(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
3.23按整 :
管(1管有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.23
--
100+
￥2.69
--
750+
￥2.5
--
1500+
￥2.37
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFU120PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.7A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 270 毫欧 @ 4.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 360pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
IRFU120PBF手册
无数据
IRFU120PBF概述
IRFU120PBF 产品概述
概述
IRFU120PBF 是一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适用于多种电子应用。该MOSFET 由威世（VISHAY）品牌生产，封装形式为 TO-251-3，具有紧凑的结构和可靠的性能。这款器件的额定漏源电压为 100V，最大连续漏流可达到 7.7A，特别适合电源管理、开关电源和电机驱动等应用场景。
技术规格
- 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压 (Vdss): 100V
- 连续漏极电流 (Id): 7.7A (在 Tc 环境温度下)
- 最大 Rds(on): 270 毫欧 @ 4.6A，10V
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 4V @ 250µA
- 栅极电荷 (Qg): 最大 16nC @ 10V
- 最大 Vgs: ±20V
- 输入电容 (Ciss): 最大 360pF @ 25V
- 功率耗散: 最大2.5W (在环境温度Ta下)，42W (在结温Tc下)
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C（TJ）
- 安装类型: 通孔
- 封装: TO-251AA（短引线，IPak）
性能特点
IRFU120PBF 采用先进的 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)），在高电流下仍能保持较小的功耗和较低的发热量。由于其较高的泄漏电压和工作温度范围，IRFU120PBF 可以在多种恶劣环境条件下稳定工作。它的快速开关时间和低栅极电荷使其在高频率应用中表现出色，能有效提高系统的整体效率。
应用场景
- 电源管理: 在 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）中广泛使用，IRFU120PBF 可以有效控制电流和提升转换效率。
- 电机驱动: 该MOSFET 的高电流能力和快速响应使其适用于电机驱动电路，能够实现精准的电机控制和高效的能量转换。
- 照明控制: 在 LED 照明和其他类型的照明控制电路中，IRFU120PBF 可以作为开关器件，确保负载的可靠运行。
- 便携式设备: 由于其小型化设计，IRFU120PBF 适合于要求空间有限的便携式设备和消费电子产品。
结论
IRFU120PBF 是一款适应性强、性能卓越的 N 通道 MOSFET，凭借其高效的电流控制和高耐压特性，适合用于各种电子和电气应用。无论是在开关电源，电机驱动，还是其他需要高效率、高可靠性的领域，IRFU120PBF 都是一种理想的选择。威世公司的技术保障和高质量标准，使得 IRFU120PBF 能够在全球市场上获得广泛的认可与使用。