FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 125 毫欧 @ 3A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6nC @ 4.5V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 247pF @ 30V |
功率耗散(最大值) | 350mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SI2310-TP 是一款最新的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),以其出色的性能和广泛的应用被广泛认可。作为一款能够在高压和高电流环境下工作的元器件,SI2310-TP 特别适合于电源管理、负载开关和其他高效能要求的电子设备中。其设计和规格使得该 MOSFET 能够在定制应用中提供卓越的性能。
漏源电压(Vdss): SI2310-TP 具有最高 60V 的漏源电压,这使它能够在多种严格的应用环境中工作,特别适合于电源线和负载控制等场合。
连续漏电流(Id): 在 25°C 的环境温度下,SI2310-TP 可持续提供高达 3A 的漏电流,这使得它在执行高电流开关功能时非常可靠。
栅极驱动电压(Vgs): 该 MOSFET 在 Vgs 方面的设计为最大 ±20V,使得兼容性非常强,能够适应不同驱动信号。此外,最小的 Rds On(导通电阻)为 125 毫欧,在 3A 和 4.5V 条件下表现出色。
栅极电荷(Qg): 在 4.5V 驱动下,最大栅极电荷为 6nC,这意味着在开关频率较高的应用中,MOSFET 的切换损耗相对较低,提升了系统的整体效率。
输入电容(Ciss): SI2310-TP 在 30V 的条件下,最大输入电容为 247pF,使其在高效频率响应的电路中表现出良好的转态特性。
功率耗散: 该器件具有最大 350mW 的功率耗散能力,结合其在 -55°C 到 150°C 的宽温度范围,使得 SI2310-TP 非常适合于各种严苛的工作环境。
SI2310-TP 采用 SOT-23 表面贴装封装(TO-236-3 格式),具备紧凑的体积,方便在空间受限的电路板上安装。表面贴装型的设计也使得它在自动化生产过程中易于操作,确保高效的生产效率。
SI2310-TP 适合于广泛的应用领域,包括但不限于:
电源管理系统: 在 DC-DC 转换器、宽范围输入电源适配器等场景中广泛应用,以提高能效和降低能量损耗。
负载开关: 用于负载开关控制的设计中,SI2310-TP 可以为各种电气负载提供可靠的开关控制,提升系统的响应速度。
便携式设备: 由于其小巧的封装和高效率特性,该 MOSFET 特别适合于手机、平板电脑以及其他移动电子设备中,为电源管理和续航能力提供保障。
汽车电子: SI2310-TP 也能够在汽车电子产品中发挥作用,如电动门、窗以及其他智能控制系统,增强了车辆的智能化体验。
SI2310-TP 是一款优秀的 N 沟道 MOSFET,凭借其高性能参数和强大的实用性,在现代电子产品中展现出无可替代的价值。它的多元化应用场景使其成为电子设计师和工程师的理想选择,无论是在定制电源解决方案还是实现功能多样的电路设计中。选择 SI2310-TP,不仅可以提高电路的性能,还能为项目的成功实施提供强有力的保障。