不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA |
安装类型 | 表面贴装型 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器 - 基极 (R1) | 4.7 千欧 |
EMG8T2R 是一款由 ROHM(罗姆)公司制造的数字晶体管,采用表面贴装型设计,指定封装为 EMT5。该产品是一种双 NPN 预偏置晶体管,适合各种应用场景,特别是在数字电路和开关应用中表现优秀。
EMG8T2R 的主要参数包括:
电流 - 集电极 (Ic):
电压 - 集射极击穿(最大值):
功率 - 最大值:
频率 - 跃迁:
电流 - 集电极截止(最大值):
DC 电流增益 (hFE):
饱和压降:
电阻器 - 发射极和基极:
EMG8T2R 作为一款数字晶体管,广泛应用于以下几个方面:
开关电源:由于其较高的耐压特性和功率处理能力,该产品可在开关电源中担任关键角色,对电流进行有效的控制。
信号放大:其高增益特性使得 EMG8T2R 适用于多种信号放大器电路,能够在较低输入信号下提供有效的增益。
数字电路:EMG8T2R 的双NPN设计使其在数字电路中特别适用,尤其是在逻辑门和其他数字信号处理单元中表现突出。
射频应用:凭借其高达 250MHz 的跃迁频率,该产品适合用于 RF 相关的应用,通过提升射频信号的稳定性与传输效率,达到预期功能效果。
预偏置设计:EMG8T2R 的预偏置特性使得其在较小的输入信号下也能迅速进入导通状态,降低了对输入电流的要求,提高了电路的整体响应速度。
节省空间:使用表面贴装型的设计可有效节省电路板空间,更加适合高集成度和高密度的电子设备。
可靠性高:ROHM 作为知名品牌,其产品质量经过严格检测,EMG8T2R 在长期运行中表现出良好的可靠性和稳定性。
EMG8T2R 是一款综合性能优秀的数字晶体管,具有较高的电流增益和频率响应,适合多种电子电路的应用。凭借其稳定的工作特性和可靠的设计,用户在电路设计中可以充分信赖,为实现高效能和高集成度的电子产品提供了有力支持。无论是在开关电源、信号放大还是射频应用中,EMG8T2R 都展现了其独特的优势和卓越的性能。