EMG8T2R 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

EMG8T2R

商品编码: BM0000003608
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
EMT5
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 2个NPN-预偏置 SMD-5P
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.37
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.37
--
500+
¥0.246
--
4000+
¥0.214
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

EMG8T2R参数

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)80 @ 10mA,5V电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 250µA,5mA
安装类型表面贴装型电阻器 - 发射极 (R2)47 千欧
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW电流 - 集电极截止(最大值)500nA
电阻器 - 基极 (R1)4.7 千欧

EMG8T2R手册

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EMG8T2R概述

EMG8T2R 产品概述

EMG8T2R 是一款由 ROHM(罗姆)公司制造的数字晶体管,采用表面贴装型设计,指定封装为 EMT5。该产品是一种双 NPN 预偏置晶体管,适合各种应用场景,特别是在数字电路和开关应用中表现优秀。

主要规格

EMG8T2R 的主要参数包括:

  1. 电流 - 集电极 (Ic)

    • 最大工作电流为 100mA,适用于需要中等电流驱动的应用。
  2. 电压 - 集射极击穿(最大值)

    • 该晶体管的最大集射极击穿电压为 50V,允许在较高电压条件下工作,为电路提供必要的稳定性。
  3. 功率 - 最大值

    • 最大功率可达 150mW,确保在合理的功率范围内有效工作。
  4. 频率 - 跃迁

    • 具有高达 250MHz 的频率,多用于高频信号处理。
  5. 电流 - 集电极截止(最大值)

    • 在截止状态下,集电极电流为 500nA,显示出良好的电流控制特性。
  6. DC 电流增益 (hFE)

    • 在 10mA 的集电极电流下,hFE 最小值为 80,确保有效的信号放大。
  7. 饱和压降

    • Vce 的饱和压降在不同的基极和集电极电流下,最大可达到 300mV(在 250µA 和 5mA 时),这为电路设计提供了额外的灵活性。
  8. 电阻器 - 发射极和基极

    • 该器件配备有 47kΩ 的发射极电阻(R2)和 4.7kΩ 的基极电阻(R1),有助于实现良好的开关特性和稳定的工作点。

应用场景

EMG8T2R 作为一款数字晶体管,广泛应用于以下几个方面:

  • 开关电源:由于其较高的耐压特性和功率处理能力,该产品可在开关电源中担任关键角色,对电流进行有效的控制。

  • 信号放大:其高增益特性使得 EMG8T2R 适用于多种信号放大器电路,能够在较低输入信号下提供有效的增益。

  • 数字电路:EMG8T2R 的双NPN设计使其在数字电路中特别适用,尤其是在逻辑门和其他数字信号处理单元中表现突出。

  • 射频应用:凭借其高达 250MHz 的跃迁频率,该产品适合用于 RF 相关的应用,通过提升射频信号的稳定性与传输效率,达到预期功能效果。

设计优势

  1. 预偏置设计:EMG8T2R 的预偏置特性使得其在较小的输入信号下也能迅速进入导通状态,降低了对输入电流的要求,提高了电路的整体响应速度。

  2. 节省空间:使用表面贴装型的设计可有效节省电路板空间,更加适合高集成度和高密度的电子设备。

  3. 可靠性高:ROHM 作为知名品牌,其产品质量经过严格检测,EMG8T2R 在长期运行中表现出良好的可靠性和稳定性。

总结

EMG8T2R 是一款综合性能优秀的数字晶体管,具有较高的电流增益和频率响应,适合多种电子电路的应用。凭借其稳定的工作特性和可靠的设计,用户在电路设计中可以充分信赖,为实现高效能和高集成度的电子产品提供了有力支持。无论是在开关电源、信号放大还是射频应用中,EMG8T2R 都展现了其独特的优势和卓越的性能。