安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 2 欧姆 @ 150mA,4.5V |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.2V,4.5V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 150mA(Ta) | FET 类型 | N 通道 |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 12pF @ 10V | Vgs(最大值) | ±8V |
工作温度 | 150°C(TJ) | 漏源电压(Vdss) | 20V |
功率耗散(最大值) | 100mW(Ta) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 100µA |
RV1C002UNT2CL 是一款由日本 ROHM(罗姆)公司生产的高性能 N 通道 MOSFET,采用表面贴装型 VML0806 封装。该器件专为中低功率应用而设计,适合在要求高效率和低功耗的电路中使用。其主要特点包括较低的导通电阻、适应较大温度范围的能力,以及优良的开关性能,使其在现代电子设备中得到广泛应用。
由于其出色的电气性能,RV1C002UNT2CL 广泛应用于各类电子产品中,如:
RV1C002UNT2CL 是一款具有竞争力的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气性能和广泛的应用能力,适合各种低功率电子设备。其小巧的表面贴装封装设计、良好的散热特性、高耐受性,使其成为现代电子设计中非常理想的选择。无论是在高效能电源管理,还是在细致的电子控制系统中,RV1C002UNT2CL 都能提供稳定可靠的性能,帮助工程师们实现产品在性能和可靠性方面的最佳平衡。