RV1C002UNT2CL 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

RV1C002UNT2CL

商品编码: BM0000003557
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VML0806
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
表面贴装型-N-通道-20V-150mA(Ta)-100mW(Ta)-VML0806
库存 :
65894(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.416
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.416
--
500+
¥0.277
--
4000+
¥0.241
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

RV1C002UNT2CL参数

安装类型表面贴装型不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2 欧姆 @ 150mA,4.5V
技术MOSFET(金属氧化物)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.2V,4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)150mA(Ta)FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)12pF @ 10VVgs(最大值)±8V
工作温度150°C(TJ)漏源电压(Vdss)20V
功率耗散(最大值)100mW(Ta)不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 100µA

RV1C002UNT2CL手册

RV1C002UNT2CL概述

RV1C002UNT2CL 产品概述

一、基本信息

RV1C002UNT2CL 是一款由日本 ROHM(罗姆)公司生产的高性能 N 通道 MOSFET,采用表面贴装型 VML0806 封装。该器件专为中低功率应用而设计,适合在要求高效率和低功耗的电路中使用。其主要特点包括较低的导通电阻、适应较大温度范围的能力,以及优良的开关性能,使其在现代电子设备中得到广泛应用。

二、技术参数

  1. 安装类型:表面贴装型(SMD),适合自动化焊接及在空间受限的PCB设计中使用。
  2. FET 类型:N 通道,它在电子开关和放大应用中具有更低的导通损耗。
  3. 漏源电压(Vdss):最大可承受电压为 20V,适合多种电源管理和电机驱动应用。
  4. 连续漏极电流(Id):在 25°C 条件下可提供高达 150mA 的连续电流,显示出其在中小负载下的优越性能。
  5. 功率耗散(最大值):100mW,适合在小型设备中的应用,避免发热过高导致器件失效。
  6. 导通电阻(Rds On):在不同 Id 和 Vgs 下,最大值为 2 欧姆(@150mA,4.5V),有效降低了在开关过程中因电阻损耗引起的热量。
  7. 驱动电压(Vgs):限制在 ±8V,提供稳定的阈值电压,确保在多种工作条件下的可靠性。
  8. 工作温度:最高工作温度可达到 150°C,适用于严苛环境下的应用。
  9. 输入电容(Ciss):在 Vds 为 10V 时最大约为 12pF,有助于提高开关速度及降低驱动功耗。
  10. 阈值电压(Vgs(th)):在 Id 为 100µA 时,最大值为 1V,确保在低电压下即可导通,从而拓宽了其应用范围。

三、应用领域

由于其出色的电气性能,RV1C002UNT2CL 广泛应用于各类电子产品中,如:

  • 电源管理:用于开关电源、功率路径选择等电源管理电路。
  • 电机驱动:在小功率电机的驱动回路中,实现低耗能的控制。
  • 照明控制:在LED驱动电路中,提供有效的开关控制。
  • 消费电子:手机、平板等便携设备中,用于实现高效的电源分配和功耗管理。

四、总结

RV1C002UNT2CL 是一款具有竞争力的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气性能和广泛的应用能力,适合各种低功率电子设备。其小巧的表面贴装封装设计、良好的散热特性、高耐受性,使其成为现代电子设计中非常理想的选择。无论是在高效能电源管理,还是在细致的电子控制系统中,RV1C002UNT2CL 都能提供稳定可靠的性能,帮助工程师们实现产品在性能和可靠性方面的最佳平衡。