RB521G-30T2R 产品实物图片
RB521G-30T2R 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

RB521G-30T2R

商品编码: BM0000003555
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
VMD2
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
肖特基二极管 独立式 350mV@10mA 30V 100mA SOD-723
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.436
按整 :
圆盘(1圆盘有8000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.436
--
500+
¥0.292
--
4000+
¥0.253
--
48000+
产品参数
产品手册
产品概述

RB521G-30T2R参数

安装类型表面贴装型二极管类型肖特基
速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度电流 - 平均整流 (Io)100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)350mV @ 10mA电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)30V
工作温度 - 结125°C(最大)不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10µA @ 10V

RB521G-30T2R手册

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RB521G-30T2R概述

产品概述:RB521G-30T2R 肖特基二极管

一、产品简介 RB521G-30T2R 是一款由日本罗姆半导体(ROHM)旗下生产的高性能肖特基二极管。这款二极管采用了SOD-723封装,设计用于表面贴装(SMD)应用。其特有的肖特基结构使其具有低正向压降、快速开关特性以及较低的反向泄漏电流,从而在各种电子电路中表现出优异的性能。

二、技术参数 RB521G-30T2R 的主要技术参数包括:

  • 安装类型:表面贴装型
  • 二极管类型:肖特基二极管
  • 电流 - 平均整流 (Io):100mA
  • 正向电压 (Vf):350mV @ 10mA
  • 反向电压 (Vr)(最大值):30V
  • 工作温度 - 结:最大125°C
  • 反向泄漏电流:10µA @ 10V
  • 速度:小信号 <= 200mA(Io)

三、产品特性

  1. 低正向压降:RB521G-30T2R 的正向电压降为350mV(在10mA电流下),相较于传统的硅二极管,其正向压降显著降低。这使得其更为适合用于需要高效能的电源管理电路、整流和稳压等应用。

  2. 高反向电压:该二极管的最大反向电压为30V,使其在中等电压应用中表现出色。其设计允许其在恶劣环境下工作,提供稳定的性能。

  3. 低反向泄漏电流:在10V的反向电压下,RB521G-30T2R 的反向泄漏电流仅为10µA,这一特性使得其能在节能型电源和低功耗应用中实现长时间稳定的工作。

  4. 高工作温度:该二极管的结温最大达到125°C,能够适应严苛的工作环境,同时延长了产品的使用寿命。

四、应用场景 RB521G-30T2R 肖特基二极管被广泛应用于以下场景:

  • 开关电源:在开关电源中,RB521G非常适合用于整流应用。其低正向压降提高了效率,并减少了开关损失,从而提高了整个电源的转换效率。
  • 电池充电器:在电池充电器中使用该二极管,可有效降低充电时的能耗,提升充电效率,延长电池使用寿命。
  • 逆变器:在逆变器中,由于其能处理中等电压且具有快速响应能力,RB521G可用于提升电路的整体性能和可靠性。
  • 电机驱动:在电机控制电路中,以抗逆电流为目的,使用RB521G可以确保有效的二极管保护,防止电机反向流电对电路造成的损害。

五、总结 RB521G-30T2R 是一款综合性能突出的肖特基二极管,凭借其独特的技术特点和高效能,为现代电子设备的设计提供了可靠的解决方案。无论是在电源管理、充电器、逆变器,还是电机驱动等领域,RB521G均可满足客户的多种需求。选择RB521G-30T2R,您将进入一个高效、节能和更高性能的电子世界。