晶体管类型 | PNP | 集电极电流Ic | 5A |
集射极击穿电压Vce | 40V | 额定功率 | 2W |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 5A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 160mV @ 200mA,2A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 150 @ 2A,2V | 功率 - 最大值 | 2W |
频率 - 跃迁 | 120MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
供应商器件封装 | SOT-223 |
PBSS5540Z,115是一款高性能PNP型双极晶体管(BJT),致力于满足各种电子电路的需求。其卓越的性能参数使其适用于广泛的应用场景,尤其是在需要较高电流和电压的电源电路、放大器电路以及开关电路中。此产品由知名品牌Nexperia(安世)生产,具有良好的品质和可靠性。
PBSS5540Z,115凭借其高电流、大电压和良好的增益性能,广泛应用于:
PBSS5540Z,115是一款功能强大且性能卓越的PNP类型晶体管,适合各种高功率和高频应用。其卓越的电气特性及可靠的工作表现,使得该器件在电子工程师设计电路时成为了优秀的选择。其小巧的SOT-223封装及高温环境下的稳定性使其广泛适用于多个行业,无论是消费电子、工业控制、还是汽车电子,PBSS5540Z,115都能提供理想的解决方案。