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STP24N60M2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.8g
描述 :
场效应管(MOSFET) 150W 600V 18A 1个N沟道 TO-220
库存 :
330(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
5.97按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.97
--
100+
￥4.77
--
1000+
￥4.42
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP24N60M2参数
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 9A，10V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 安装类型 | 通孔 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1060pF @ 100V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） |
| FET 类型 | N 通道 |
STP24N60M2手册
无数据
STP24N60M2概述
STP24N60M2 产品概述
产品简介 STP24N60M2是一款高性能的N通道金属氧化物场效应管（MOSFET），具有优越的电气特性与热管理能力，主要应用于高压开关电源、逆变器、电机驱动以及其他需要高效能和高可靠性的电源管理系统。这款MOSFET采用TO-220-3封装，具有良好的散热性能，适合在较高功率下工作。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: STP24N60M2的漏源电压为600V，使其能够承受高达600V的电压，适合用于高电压应用场合。
- 连续漏极电流（Id）: 该器件在额定工作条件下提供高达18A的连续漏极电流，确保其在大功率应用环境下具备良好的稳定性。
- 功率耗散: 在结温为25°C时，该MOSFET的最大功率耗散为150W，可在高负载条件下保持可靠的工作状态。
- 导通电阻（Rds(on)）: STP24N60M2在Vgs为10V时，最大导通电阻为190毫欧@9A，显示出其在低导通阻抗下的优越性能，实现更高的效率和更低的热损耗。
- 栅极电荷（Qg）: 在10V的栅极驱动电压下，栅极电荷典型值为29nC，这表明其具备良好的开关速度，优化了开关损耗。
- 阈值电压（Vgs(th)）: 当漏极电流为250µA时，Vgs(th)的最大值为4V，确保MOSFET在较低的栅电压下即可开启，提高了设计灵活性。
工作温度与稳定性 STP24N60M2的工作温度范围广泛，能够在-55°C到150°C的环境条件下可靠工作。这使得该设备适合在苛刻的工业及环境条件下操作，不仅提高了应用的灵活性，而且减少了由于温度变化带来的故障风险。
应用领域 得益于其优异的电气性能，STP24N60M2广泛应用于多个领域：
- 开关电源: 在电源转换中实现高效能与低功耗，适合用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等。
- 电机驱动: 用于直流电机和步进电机的驱动，提供可靠的电源切换与控制。
- 逆变器: 在可再生能源的逆变系统，尤其是太阳能逆变器中，STP24N60M2展现出其高效率和高稳定性。
- 家电控制: 适用于各种小型家电及工业控制设备中的功率开关。
总结 STP24N60M2是一款性能卓越的N通道MOSFET，凭借其高达600V的耐压能力、可靠的导通特性及广泛的工作温度范围，非常适合用于各类高功率和高电压应用。该器件不仅提升了设备的工作效率，还降低了开关损耗，延长了产品的使用寿命，是当前市场上具有竞争力的电子元器件之一。通过选择STP24N60M2，工程师们可以更轻松地设计和集成高效、可靠的电源管理解决方案。