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SI4431BDY-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 5.7A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.22按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.22
--
100+
￥2.69
--
1250+
￥2.44
--
2500+
￥2.26
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37500+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4431BDY-T1-E3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 30 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 20nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4431BDY-T1-E3手册
无数据
SI4431BDY-T1-E3概述
SI4431BDY-T1-E3 产品概述
产品简介
SI4431BDY-T1-E3 是一款高性能的P沟道MOSFET，专为低压、高频应用而设计。其漏源电压（Vdss）高达30V，最大连续漏极电流（Id）可达5.7A，使其在各种电力电子设备中成为理想选择。该器件集成了极低的导通电阻和卓越的电气性能，能够实现高效、稳定的电流控制。
主要特点
- P沟道设计：作为P沟道MOSFET，SI4431BDY-T1-E3提供了优良的正向导通性能，特别适用于高侧开关应用。
- 高漏源电压：最大漏源电压（Vdss）为30V，确保其在多种应用环境下的安全运行。
- 强大的电流处理能力：在25°C的环境温度下，该MOSFET能够承受最高5.7A的连续漏极电流，满足高功率应用的需求。
- 较低的导通电阻：当漏极电流为7.5A时，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为30毫欧，显著减小了功耗，提升了整体系统的效率。
- 灵活的驱动电压：支持4.5V至10V的驱动电压，在驱动器件的灵活性和兼容性方面提供了更多选择。
- 低栅极电荷：在5V的栅极驱动电压下，器件的栅极电荷（Qg）最大为20nC，保证了快速开关能力，并降低了驱动电路的功耗。
- 广泛的工作温度范围：工作温度范围为-55°C至150°C，适合于各种严苛的工业应用，如汽车、航空航天等领域。
- 优质封装：采用8-SOIC封装，尺寸为0.154" (3.90mm宽)，方便并且适合表面贴装技术，使得PCB设计更为紧凑。
应用领域
SI4431BDY-T1-E3 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：适用于电源开关、DC-DC转换器和电池管理系统。
- 电机驱动：能够控制直流电动机和步进电机等负载的开关。
- 自动化设备：在工业自动化和机器人技术中，作为负载开关实现电流控制。
- 汽车电子：可用于电动汽车和混合动力汽车的电源管理系统，满足高可靠性的要求。
- 消费电子：在LED驱动器和音频放大器等应用中也能见到其身影。
性能优势
与市场上同类产品相比，SI4431BDY-T1-E3提供了更低的导通电阻和更高的电流承载能力，从而提升了系统的效率和稳定性。此外，其良好的热管理特性，确保在高负载情况下的可靠性，适用于大多数苛刻环境。
结论
SI4431BDY-T1-E3 MOSFET凭借其低导通电阻、高电流处理能力以及广泛的工作温度范围，成为市场上的一款出色的P沟道MOSFET。其卓越的电气性能和可靠性使其在电源管理、自动化设备及汽车电子等众多应用中具备了很强的竞争力。对于需要高效、稳定和高可靠性的电子元件的设计者和工程师来说，选择SI4431BDY-T1-E3将是明智之举。