LP2301LT1G 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

LP2301LT1G

商品编码: BM0000003516
品牌 : 
LRC(乐山无线电)
封装 : 
SOT-23
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 900mW 20V 2.3A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
3460(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.766
按整 :
-(1-有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.766
--
200+
¥0.255
--
1500+
¥0.159
--
3000+
¥0.11
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

LP2301LT1G参数

功率(Pd)570mW反向传输电容(Crss@Vds)97.26pF@6V
商品分类场效应管(MOSFET)导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)100mΩ@4.5V,2.8A
工作温度-55℃~+150℃栅极电荷(Qg@Vgs)15.23nC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V类型1个P沟道
输入电容(Ciss@Vds)882.5pF连续漏极电流(Id)2.3A
阈值电压(Vgs(th)@Id)400mV@250uA

LP2301LT1G手册

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LP2301LT1G概述

LP2301LT1G 产品概述

一、产品简介

LP2301LT1G 是一款基于场效应管(MOSFET)技术的功率器件,具备优越的性能参数,在各类电子应用中得到广泛应用。这款产品属于LRC(乐山无线电)旗下,具有强大的电力驱动能力和优异的热管理特性,非常适合用于开关电源、电机控制和大功率开关应用。

二、主要特性

  1. 类型与封装:LP2301LT1G 是一款P沟道MOSFET,采用SOT-23封装。这种封装既可以实现较小的体积,又能提供良好的散热性能,适合紧凑型电路设计和空间有限的应用场景。

  2. 电气特性

    • 最大功率:900mW
    • 最大电压:20V
    • 最大电流:2.3A

    这些指标表明LP2301LT1G在较低电压下可以承受相对较大的电流,特别适合于小型化设备和便携式电子产品。

  3. 开关性能:该MOSFET具有较快的开关速度和较低的导通电阻,能够有效减少开关损耗,提供更高的效率,特别是在频繁开关的应用场景中表现出色。

  4. 热性能:优秀的热管理能力使其可以在长期高负载下稳定工作,确保设备的长期可靠性。

三、应用领域

LP2301LT1G 的设计让它成为许多应用的理想选择,以下是一些主要应用场景:

  1. 开关电源

    • 作为开关装置控制输入电压的MOSFET,LP2301LT1G能够以极低的热量损耗有效地将电源转换为所需电压。
  2. 电机驱动

    • 在直流电机控制模块中,该元件能够高效地控制电机的启动、停止和速度调节,广泛应用于家电和工业设备中。
  3. LED驱动

    • 作为LED灯的驱动开关,LP2301LT1G能够提供稳定的电流,确保LED长时间稳定发光,减少闪烁现象,提高光效。
  4. 电池管理系统

    • 在电池充放电管理中,用作负载开关,能够提升系统的整体效率和安全性。

四、产品优势

LP2301LT1G结合了高性能与小尺寸,具备以下优势:

  • 高效性:快速开关能力与低导通电阻相结合,提供卓越的能量效率。
  • 高度集成:SOT-23封装使得其适合各种现代消费电子产品,能够节省电路板空间。
  • 可靠性:能够在不同的环境下保持稳定工作表现,适用于工业及消费类应用。

五、总结

LP2301LT1G是一款兼具高效能和高可靠性的P沟道MOSFET。无论是在电源转换、电机控制还是LED驱动方面,均表现出了卓越的性能和灵活性。其905mW的功率、20V的额定电压和2.3A的额定电流,使得它在现代电子设计中扮演着至关重要的角色。通过精准的设计,LP2301LT1G为工程师在产品开发时提供了更大的设计自由度,是电子行业中不可或缺的高性价比组件之一。