功率(Pd) | 570mW | 反向传输电容(Crss@Vds) | 97.26pF@6V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 100mΩ@4.5V,2.8A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 15.23nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个P沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 882.5pF | 连续漏极电流(Id) | 2.3A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 400mV@250uA |
一、产品简介
LP2301LT1G 是一款基于场效应管(MOSFET)技术的功率器件,具备优越的性能参数,在各类电子应用中得到广泛应用。这款产品属于LRC(乐山无线电)旗下,具有强大的电力驱动能力和优异的热管理特性,非常适合用于开关电源、电机控制和大功率开关应用。
二、主要特性
类型与封装:LP2301LT1G 是一款P沟道MOSFET,采用SOT-23封装。这种封装既可以实现较小的体积,又能提供良好的散热性能,适合紧凑型电路设计和空间有限的应用场景。
电气特性:
这些指标表明LP2301LT1G在较低电压下可以承受相对较大的电流,特别适合于小型化设备和便携式电子产品。
开关性能:该MOSFET具有较快的开关速度和较低的导通电阻,能够有效减少开关损耗,提供更高的效率,特别是在频繁开关的应用场景中表现出色。
热性能:优秀的热管理能力使其可以在长期高负载下稳定工作,确保设备的长期可靠性。
三、应用领域
LP2301LT1G 的设计让它成为许多应用的理想选择,以下是一些主要应用场景:
开关电源:
电机驱动:
LED驱动:
电池管理系统:
四、产品优势
LP2301LT1G结合了高性能与小尺寸,具备以下优势:
五、总结
LP2301LT1G是一款兼具高效能和高可靠性的P沟道MOSFET。无论是在电源转换、电机控制还是LED驱动方面,均表现出了卓越的性能和灵活性。其905mW的功率、20V的额定电压和2.3A的额定电流,使得它在现代电子设计中扮演着至关重要的角色。通过精准的设计,LP2301LT1G为工程师在产品开发时提供了更大的设计自由度,是电子行业中不可或缺的高性价比组件之一。