STD110N8F6

STD110N8F6 产品概述

产品简介： STD110N8F6 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由意法半导体（ST Microelectronics）制造，封装形式为 DPAK（TO-252-3），适用于各种开关和放大应用。凭借其杰出的电气性能，该器件特别适合在高效率电源转换和电机驱动等领域中使用。

主要参数：

1. 电压和电流规格：

   • 漏源电压（Vdss）：80V，这使得 STD110N8F6 能够处理较高的电压负载，适合于需要较高阻断电压的应用环境。
   • 连续漏极电流（Id）：80A（在环境温度为 25°C 时），提供了良好的电流承受能力，使其适合高功率场合。

2. 导通电阻与驱动要求：

   • 最小导通电阻（Rds On）：在 10V 的栅极驱动电压下，最大导通电阻为 6.5 毫欧（在 40A 电流下）。低导通电阻决定了在开关状态下的低功耗，从而减小了散热问题，提升了整体效率。
   • 栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 4.5V（在 250μA 的漏极电流下），这意味着该 MOSFET 可利用较低的栅极电压实现开关，便于与微控制器和其他逻辑 IC 配合使用。

3. 效率与散热能力：

   • 功率耗散上限为 167W（在 Tc 情况下），合理的热管理设计可以确保该元件在高负载下运行良好。
   • 工作温度范围为 -55°C 至 175°C（TJ），使其能够适应严苛的工作环境，如汽车电子和工业控制系统。

4. 电气特性：

   • 在不同的 Id 和 Vgs 下，栅极电荷（Qg）最大值为 150nC（在 10V 时），这一点对于快速开关闭合的应用尤为重要，能够有效降低开关损失。
   • 输入电容（Ciss）最大值为 9130pF（在 40V 时），确保在开关频率较高的情况下依然维持良好的电流响应。

5. 封装与安装形式：

   • DPAK 封装（TO-252-3）为表面贴装型，具备良好的散热性能和低电感特性，使其适合高密度电路板设计，同时简化了生产工艺。

应用领域： 由于其出色的电气特性，STD110N8F6 可以广泛应用于以下场景：

• 开关电源：在 DC-DC 转换器和逆变器中，发挥高电流承载能力和低能耗的优势，提高系统的整体效率。
• 电机驱动：适用于电动机的控制和驱动电路，实现高效的电力调节和运转。
• 汽车电子：在电动汽车和混合动力汽车中，用于动力管理和电源控制系统，耐高温能力确保器件稳定性。
• 工业设备：在各种自动化和控制系统中，以其高功率和高热稳定性，增强了设备的可靠性和工作效率。

总结： STD110N8F6 作为一款高效的 N 通道 MOSFET，以其高电压、高电流、低导通电阻和广泛的工作温度范围，成为了电子设计中不可或缺的重要元器件。通过合理的集成和设计，STD110N8F6 可为各种应用场景提供强有力和高效能的解决方案。