晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 500mA |
集射极击穿电压Vce | 400V | 额定功率 | 300mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 400V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 60mA,300mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10 @ 300mA,10V | 功率 - 最大值 | 300mW |
频率 - 跃迁 | 30MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PBHV8540T,215是一款高性能的NPN型晶体管,专为满足中高电压和中等电流应用而设计。它具备600V的集射极击穿电压,以及500mA的集电极电流承载能力,确保其在各种严苛条件下具备高度的可靠性和稳定性。该款晶体管使用TO-236AB封装,适合表面贴装(SMD),使其在现代电子设备的紧凑设计中应用更为灵活。
PBHV8540T,215晶体管广泛应用于以下领域:
开关电源:由于其高电压和电流承载能力,适用于各种电源管理和开关电源电路,提供稳定的开关控制。
信号放大:该晶体管可用于音频和视频信号的放大,适合在高频信号处理场合中使用。
微控制器接口:可与微控制器一起工作,用于实现逻辑电平转换或驱动外部负载的接口应用。
信号调制与解调:在信息处理设备和通信系统中,PBHV8540T,215可作为调制解调信号的核心组件。
高耐压表现:PBHV8540T,215的高电压特性使其适应于各种高压应用环境,能有效避免因电压瞬变引起的损坏。
低功耗和高效率:该晶体管在高电流工作状态下仍保持低饱和压降,有助于减少功耗,并提升系统的整体效率。
卓越的散热能力:最高可承受150°C的工作温度,使其适合在严苛环境下操作,保证产品的长久使用寿命。
兼容性与灵活性:TO-236AB封装不仅节省空间,还使得PBHV8540T,215能够方便地与多种电路板设计兼容,满足不同的设计需求。
Nexperia作为全球知名的半导体解决方案提供商,以其卓越的产品质量和完善的技术支持赢得了市场的信赖。PBHV8540T,215凭借其优良的电气性能,适应多样化的应用需求,是开发者和工程师在选择晶体管时的理想选择。无论是在工业设备、消费电子、通信设备抑或是汽车电子中,PBHV8540T,215都能够提供稳定而高效的性能支持。
PBHV8540T,215凭借出色的电性能及稳定的工作特性,成为行业内一个极具竞争力的选择。其在高电压应用中的可靠性和功率效率使其能够在多种场景中游刃有余,是设计工程师构建高效、经济、可靠系统的重要组成部分。无论是在新产品研发、生产自动化,还是在设备升级改造中,PBHV8540T,215都展示了其不可或缺的重要性。