漏源电压(Vdss) | 30V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 7.5A |
栅源极阈值电压 | 2.6V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 24mΩ @ 7.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2W | 类型 | N沟道 |
AO6402A是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),专为高效能开关和线性应用而设计。该器件具有优越的电气特性和相对较小的封装尺寸,适合于各种电子设备中使用,特别是在电源管理、功率转换和射频应用等领域。AO6402A的额定参数包括漏源电压(Vdss)为30V、连续漏极电流(Id)为7.5A,漏源导通电阻为24mΩ,这使得它在低功耗和高效率的电路设计中,能够有效降低功率损耗,提高系统的整体性能。
漏源电压(Vdss): AO6402A的最大漏源电压为30V,这使其能够在较高电压应用中稳定工作,广泛适用于直流/DC-DC转换器、马达驱动和其他高压应用。
连续漏极电流(Id): 在25°C的环境温度下,AO6402A支持高达7.5A的连续漏极电流,能够满足多种负载条件下的需求,适合在高大功率的应用中表现出色。
栅源极阈值电压: AO6402A的栅源极阈值电压为2.6V @ 250μA,这使得其在低电压驱动的情况下也可以实现开关功能,方便与微控制器及其他数字电路的集成。
漏源导通电阻: 其漏源导通电阻为24mΩ(在7.5A和10V时),这一参数的低值关键在于减少能量损耗,提高效率,是实现高效能电源管理和热管理设计的关键。
最大功率耗散(Ta=25°C): AO6402A的最大功率耗散为2W,能够在温度较高的环境中依然保持稳定工作,确保器件的可靠性。
AO6402A采用TSOP-6封装,尺寸为1.5mm,具有小巧、轻便的特点,特别适合于空间受限的应用场合,例如移动设备和嵌入式系统。由于其优异的电气性能和小型化设计,AO6402A被广泛应用于如下领域:
AO6402A是一款极具竞争力的N沟道MOSFET,结合其优异的电气特性与紧凑的封装设计,为现代电子产品和应用提供了可靠的解决方案。它适用于多种工业和消费类电子设备,帮助设计工程师满足日益增长的功耗和效能要求。因此,AO6402A不仅是高效率电源管理的理想选择,也是推动下一代电子设备发展的关键元器件之一。