功率(Pd) | 2.8W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 98pF@10V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 19mΩ@2.5V,4A |
工作温度 | -55℃~+150℃ | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 7nC@4.5V |
漏源电压(Vdss) | 20V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 782pF@10V | 连续漏极电流(Id) | 8A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 830mV@250uA |
AON2408是由AOS品牌推出的一款高性能N沟道场效应管(MOSFET)。该器件在封装形式和电气性能方面都经过精心设计,适用于各种要求高效率和低功耗的电子应用场景。本产品的主要特点包括2.8W功率,有效电压20V和最大电流可达8A,这使得AON2408在广泛的应用领域中表现出色。
DFN-6(2x2)封装不仅能有效减少板面积,还提供了良好的热管理性能,适合于高密度电路板的设计。该封装使得AON2408能够在有限的空间内实现高效的电源管理。
低导通电阻: AON2408采用先进的制造工艺,具有极低的导通电阻(RDS(on)),这意味着在工作时能够显著降低功耗并提升系统整体效率。
高效率: 该MOSFET适用于高开关频率的应用,能够大幅度降低开关损耗,从而提高系统的整体效率。
良好的热性能: DFN-6封装设计有助于散热,使得AON2408在高负载条件下也能保持低温工作,这在大功率应用中特别重要。
快速开关特性: 其开关速度快,能够在高频工作环境中迅速响应,适合用于开关电源、DC-DC变换器等应用。
广泛的应用场景: AON2408特别适合于电源管理、LED驱动、电池管理系统、以及各种消费电子和工业控制设备。
AON2408 N沟道MOSFET由于其优越的性能,广泛应用于以下领域:
开关电源(SMPS): 由于其高效率和低导通电阻,AON2408非常适合用于开关电源电路中,可以提升电源的能效。
电池管理系统: 在电池充电和放电过程中,AON2408可以有效地控制电流,有助于延长电池的使用寿命。
LED驱动: AON2408可用于LED驱动电路,针对功率需求进行精准控制,实现高亮度和低热量输出。
工业控制: 在要求高可靠性和长寿命的工业控制系统中,AON2408提供了优异的性能,有助于提升系统的稳定性。
消费电子: 可用于智能手机、平板电脑等消费电子产品的电源管理,实现高能效和更长的待机时间。
总之,AON2408作为AOS品牌的一款高性能N沟道MOSFET,凭借其优异的电气特性、紧凑的DFN-6封装和多种应用场景的适应性,成为许多高效电源设计的优选元件。无论是用于电源转换、驱动电路还是智能设备管理,AON2408都能以极高的可靠性和稳定性,满足现代电子设备日益增长的性能需求。