FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 10 毫欧 @ 11.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 41nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±25V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2246pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 940mW(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
简介
DMP3017SFGQ-7 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,专为高效能电源管理和功率控制应用设计。其工作电压为30V,最高支持连续漏极电流为11.5A,适合多个领域的应用,包括电源转换、马达驱动和其他高功率电路。
技术参数
DMP3017SFGQ-7 的重要技术参数包括:
封装与安装
DMP3017SFGQ-7采用PowerDI3333-8封装类型,适合表面贴装(SMD)技术,设计紧凑,使其在节省空间的同时,保持优良的散热性能。该封装不仅提高了安装便利性,还促进了与其他元器件的集成,适应现代电路板设计的需要。
应用场景
DMP3017SFGQ-7 MOSFET广泛适用于需要高效率和低开关损耗的多种应用场景,如:
总结
作为一款高性能的 P 沟道 MOSFET,DMP3017SFGQ-7以其优越的电气特性和强大的功率承载能力,在多个领域展现出良好的应用前景。其综合性能不仅有助于提高电路的能效,还能够在设计中为工程师提供更大的灵活性和可靠性。在未来的电子设备和系统设计中,DMP3017SFGQ-7将是一个理想的重要元件选择,能够满足严苛的应用需求,推动电子技术的发展与创新。