PSMN1R3-30YL,115
PSMN1R3-30YL,115参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.3 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6227pF @ 12V |
| 功率耗散（最大值） | 121W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 |
| 封装/外壳 | SOT-1023，4-LFPAK |
PSMN1R3-30YL,115手册
PSMN1R3-30YL,115概述
产品概述：PSMN1R3-30YL,115
引言 PSMN1R3-30YL,115 是一款高性能的 N 通道 MOSFET（场效应管），专为各种高功率和高效率应用而设计。该器件由知名品牌 Nexperia（安世）生产，采用 LFPAK56 和 Power-SO8 封装，能够在极端条件下稳定工作。这款 MOSFET 具有优越的导通电阻、良好的热管理特性及广泛的应用范围，是现代电子电路中不可或缺的元件之一。
主要参数
- FET 类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：100A（在 25°C 条件下，需考虑散热）
- 驱动电压：最小 Rds On 为 4.5V，最大 Rds On 为 10V
- 导通电阻（Rds On）：不同 Id 和 Vgs 下，最大值为 1.3 毫欧 @ 15A，10V
- 阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 2.15V @ 1mA
- 栅极电荷（Qg）：最大值为 100nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 输入电容（Ciss）：最大值为 6227pF @ 12V
- 功率耗散：最大值 121W（在 Tc 条件下）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装类型：LFPAK56，Power-SO8，符合现代表面贴装技术的需求。
性能特点 PSMN1R3-30YL,115 的设计凸显了高效率和高功率处理能力，适合于电源管理和转换器应用。在最大功率耗散 121W 的情况下，MOSFET 依然能够保持相对较低的温升，确保其在高负载条件下的可靠性。其低导通电阻特别适合用于要求较高效率的应用，如电动机驱动器、高频开关电源和数据中心电源模块等。
该器件的优秀的输入电容特性，结合适中的栅极电荷，使其可以在较快的开关频率下有效工作，适用于 PWM 控制的应用场合。这一特性有助于实现更高的频率效率，从而改善整个电路的性能。例如，在 DC-DC 转换器和逆变器中，可以显著提高电路的效率，降低能耗。
应用领域 PSMN1R3-30YL,115 的广泛应用包括但不限于：
- 开关电源：在 AC/DC 和 DC/DC 转换中扮演着重要角色，提高转换效率。
- 电动汽车：适合在电池管理系统、逆变器、充电器等领域使用。
- 工业自动化：在电机驱动、变频器等需要高功率控制的场合中应用广泛。
- 消费电子：可用于高效率的充电系统和低功耗电子设备。
安装与散热 得益于 LFPAK56 封装设计，该器件在散热性能上表现出色。电路设计时应考虑到散热要求，使该器件的工作温度保持在安全范围内。在实际应用中，建议使用适当的散热器和良好的 PCB 设计，以充分利用其性能潜力。
总结 PSMN1R3-30YL,115 是一种高质量、高性能的 N 通道 MOSFET，结合了多项先进技术，适合于多种高功率、高效率的应用场合。其出色的电气特性、宽广的工作温度范围和多种封装选择，将为工程师在设计和开发电子设备时提供强大的支持。选择 Nexperia 的 PSMN1R3-30YL,115，将为您的电路设计带来更高的性能和可靠性。