DMN30H4D0L-7
DMN30H4D0L-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 300V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.7V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4 欧姆 @ 300mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.6nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 187.3pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 310mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMN30H4D0L-7手册
DMN30H4D0L-7概述
DMN30H4D0L-7 产品概述
产品概览
DMN30H4D0L-7 是一种高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），其设计专为满足广泛电子应用的高效能和可靠性。该器件由知名品牌 DIODES 制造，采用表面贴装型封装 SOT-23（TO-236-3），以便于在现代电子电路中的应用。它的漏源电压 (Vds) 可高达 300V，连续漏极电流 (Id) 额定值为 250mA，使其成为高压和中低功率执行电路的绝佳选择。
关键参数
漏源电压 (Vdss): 最大值为 300V，使该器件适用于高电压应用场景，能够承受较大电压而不发生失效。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，最大连续漏极电流为 250mA，提供了优越的电流处理能力。
导通电阻 (Rds(on)): 对于 10V 的栅压 (Vgs)，最大导通电阻为 4Ω @ 300mA，这使得在导通状态下 MOSFET 的功耗相对较低，从而提升整个电路的能效。
栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 3V @ 250µA，确保在相对较低的驱动电压下即可实现快速导通，非常适合用于逻辑电平控制的开关电路。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 的 Vgs 下，最大栅极电荷为 7.6nC，意味着该器件具备较快的开关速度，有助于降低开关损耗，提高整体效率。
输入电容 (Ciss): 最大值为 187.3pF @ 25V，使其在高频应用中表现出出色的性能，降低了信号延迟和失真。
工作环境: 工作温度范围广泛，覆盖了 -55°C 到 150°C，适用于各种严格的环境条件，包括汽车电子、高温工业设备与散热要求高的应用。
功率耗散: 最大功率耗散为 310mW，有助于小型化设计，也降低了整体散热设计的复杂性。
应用领域
由于其独特的结构和高效能，DMN30H4D0L-7 被广泛应用于以下领域：
开关电源: 支持高电流、高电压的开关电源设计，能有效提升电源的工作效率。
电机驱动: 可用作电机驱动器中的开关器件，实现高效的电机控制。
LED 驱动: 在 LED 照明应用中，作为驱动器件，提供稳定的电流和电压输出。
自动化控制: 在自动化设备及工业控制系统中应用，提高控制的精度与效率。
消费电子: 可以用于各种小型消费电子设备中的电源管理和开关控制。
总结
DMN30H4D0L-7 是一款高度可靠且功能强大的 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电气特性和广泛的工作温度范围，更为现代电子设计提供了灵活性与高效能。无论是在开关电源、LED 驱动还是电机控制等领域，该器件都能展现出色的表现。借助 DIODES 的优良技术平台，DMN30H4D0L-7 深得设计师青睐，是优化电路性能和降低功耗的理想选择。