2SCR513P5T100 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

2SCR513P5T100

商品编码: BM0000003338
品牌 : 
ROHM(罗姆)
封装 : 
MPT3(SOT-89)
包装 : 
编带
重量 : 
1g
描述 : 
三极管(BJT) 500mW 50V 1A NPN SOT-89-3
库存 :
6708(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
0.851
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.851
--
50+
¥0.426
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

2SCR513P5T100参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A
电压 - 集射极击穿(最大值)50V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)350mV @ 25mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值)1µA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)180 @ 50mA,2V
功率 - 最大值500mW频率 - 跃迁360MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-243AA供应商器件封装MPT3

2SCR513P5T100手册

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无数据

2SCR513P5T100概述

产品概述:2SCR513P5T100 NPN三极管

2SCR513P5T100是一款高性能的NPN型晶体管,适用于各种电子电路的开关和放大应用。该器件由ROHM(罗姆)公司生产,采用MPT3(SOT-89)封装设计,具备出色的电气特性和热稳定性,能够在苛刻的环境下正常工作。

基础参数

  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流 (Ic): 最大值为1A,意味着该晶体管可以处理相对较高的电流,适合多种电源驱动及功率放大应用。
  • 集射极击穿电压 (Vce max): 最大50V,这表明该器件在高电压下仍能保持良好的性能,适合用于高压电路。
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 下,该器件的饱和压降最大为350mV( @ 25mA)和500mV( @ 500mA),提供了高效的开关特性,有助于减少开关损耗。
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大1μA,表明在关闭状态下该器件的漏电流非常低,有利于提高电路的整体能效。
  • 直流电流增益 (hFE): 在特定条件下至少可达到180,增强了放大的能力,使其能够在低电流输入时输出较高的电流。
  • 功率耗散 (Pd): 最大功率为500mW,充分满足大多数应用场景下的功率需求。
  • 跃迁频率 (fT): 高达360MHz,适用于高频应用,如RF信号处理和高速开关电路的设计。
  • 工作温度: 该器件的工作温度可达到150°C,确保其在高温环境中稳定运行,适合于工业和汽车电子应用。
  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),便于自动化生产线上的焊接和组装,减少了对传统直插元件的依赖。

应用场景

2SCR513P5T100可广泛应用于多种电子电路中,尤其是在需要高效率和高功率处理的场合,例如:

  1. 开关电路: 由于其快速开关特性和低饱和压降,适用于电源开关、灯光控制等应用。

  2. 放大器电路: 在音频放大器和信号处理电路中,凭借较高的电流增益,可以提升信号的强度。

  3. 射频应用: 由于其高频特性,适合用于无线通讯设备,如手机、无线传输设备等。

  4. 电机驱动: 在小型电机驱动电路中,该晶体管能够提供所需的电流,同时保持良好的热管理。

  5. 汽车电子: 在车载电子设备中,2SCR513P5T100能够承受高温和高压,确保其在恶劣环境中的稳定性。

封装与散热

采用SOT-89封装的2SCR513P5T100具有较小的占位面积,使其在紧凑型电路中广泛应用。同时,良好的散热特性使得该元器件在高功率运行下不会出现过热现象,从而延长器件的使用寿命。

结论

总之,2SCR513P5T100是一款功能强大且性能优异的NPN三极管,凭借其广泛的应用范围、电气特性和良好的散热能力,成为众多电子产品设计师和工程师首选的晶体管之一。无论用于开关电路、放大器还是高频应用,2SCR513P5T100都能提供卓越的解决方案。选择2SCR513P5T100,以确保您的电子项目顺利进行!