ZXMN3B14FTA
ZXMN3B14FTA参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 80 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.7nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 568pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
ZXMN3B14FTA手册
ZXMN3B14FTA概述
ZXMN3B14FTA 产品概述
引言
ZXMN3B14FTA 是一款由美台半导体公司（DIODES）制造的N沟道MOSFET场效应晶体管，具有优越的电气性能和宽广的应用场景。该组件兼具高效的导通、低功耗和紧凑的SOT-23-3封装，适合于各种电子设备中的开关和放大功能。
基础参数
ZXMN3B14FTA 的漏源电压（Vdss）为30V，能够在较高电压环境下稳定运行。其在25°C时的连续漏极电流（Id）为2.9A，这使得它能够满足大部分工业和消费电子应用中的电流需求。此外，其最大功率耗散能力可达到1W（在环境温度下），进一步增强了其适用性。
导通电阻与驱动电压
该MOSFET在4.5V下提供的导通电阻（Rds On）最大值为80毫欧（@3.1A、4.5V），这意味在工作中产生的能量损耗较小，有利于提升整体系统的效率。ZXMN3B14FTA 的驱动电压灵活，支持2.5V至4.5V范围的输入信号，确保即使在较低电压条件下也能正常工作，适合现代低功耗电子设备的需求。
开关特性
在开关性能方面，ZXMN3B14FTA的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为700mV（@250µA），使得其在低电压输入时也能快速开启，适应快速切换的应用。不同Vgs时的栅极电荷（Qg）最大值为6.7nC（@4.5V），此特性有助于减少栅极驱动电流并降低开关损失。
输入电容与工作温度
在输入电容方面，ZXMN3B14FTA 的Ciss最大值为568pF（@15V），这样较低的输入电容确保了其在高频应用中的性能稳定性。设定的工作温度范围为-55°C至150°C，赋予了该器件广泛的环境适应能力，可以在恶劣的温度条件下正常工作，适合军事、航空航天、汽车电子及其他要求严格的应用。
封装与安装类型
ZXMN3B14FTA采用SOT-23-3封装，封装尺寸紧凑，非常适用于空间有限的电路设计。表面贴装（SMD）的安装方式简化了生产流程，提高了PCB的组装效率。
应用场景
ZXMN3B14FTA 适合应用于各类电子设备，包括：
- 开关电源 - 在DC-DC升压或降压变换器中作为开关器件。
- 电机驱动 - 作为控制高效电动机运行的开关器件。
- LED驱动 - 在LED照明应用中作为调光开关。
- 信号放大 - 用于音频放大器和其他信号处理电路中。
- 转换电路 - 在模拟开关和数据开关应用中。
结论
ZXMN3B14FTA 是一款专为现代电子应用设计的高性能N沟道MOSFET，凭借其卓越的导通性能、低功耗特性和广泛的工作温度范围，尤其适用于高效能的电源管理系统。这款产品不仅具有良好的热稳定性和可靠性，还能大幅提升电子设备的整体性能。因此，无论是在消费类电子还是工业设备中，ZXMN3B14FTA 都是一个理想的选择。