FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 22 毫欧 @ 4.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 51nC @ 10V |
Vgs(最大值) | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1530pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 2.5W(Ta) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
产品概述: IRF7495TRPBF
IRF7495TRPBF 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),由知名的半导体制造商英飞凌(Infineon)生产。该器件的设计旨在满足广泛的功率管理应用需求,如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他需要高效电流开关的电子设备。以下是对 IRF7495TRPBF 的详细介绍。
IRF7495TRPBF 的关键参数包括:
IRF7495TRPBF 被广泛应用于多个领域,包括但不限于:
总之,IRF7495TRPBF 是一款经过优化的 N 通道 MOSFET,凭借其优越的电气特性、广泛的应用范围和可靠的工作性能,成为当前电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在高效能的电源管理系统中,还是在高温、高压条件下的复杂电子控制系统中,IRF7495TRPBF 都能够提供卓越的可靠性和性能。
对于设计工程师而言,选用 IRF7495TRPBF 将为其电路设计提供强大的支持,确保系统在各个条件下高效、安全地运行。