晶体管类型 | PNP | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 65V | 额定功率 | 250mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 65V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 125 @ 2mA,5V | 功率 - 最大值 | 250mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
BC856A,215 是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),主要应用于信号放大和开关电路。由全球知名半导体厂商 Nexperia(安世)制造,该器件在功能、可靠性及使能方面具有卓越的表现,适用于各种消费电子及工业应用。
BC856A,215 采用小型化的 TO-236AB 封装(亦称 SOT-23-3),适合表面贴装(SMD),有助于设计更紧凑的电路板,节省空间。该封装的尺寸和肖特基特性使得该器件可以轻松集成到各种电子设备中,广泛用于手机、计算机、家电及工业控制系统。
BC856A,215 广泛应用于多个领域,包括但不限于:
具备高直流电流增益、低饱和压降和宽工作温度范围的BC856A,215,使其在众多应用中展现出显著的性能优势。该器件的高频响应能力,支持高频率信号处理,满足现代数字电路日益增长的性能需求。同时,低截止电流确保了设备在“关闭”状态下的电流消耗极小,有助于延长电池供电的电子产品的使用寿命。
总体而言,BC856A,215 是一款优质的PNP三极管,其在性能、结构以及广泛的应用适用性方面表现优异。无论是用于消费电子还是工业设备,该器件都能有效提升产品性能,为电子设计师提供可靠的解决方案。由于其出色的电气特性和高可靠性,BC856A,215 在未来的电子产品开发和创新中将继续发挥重要作用。