STP12NM50
STP12NM50参数
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 350 毫欧 @ 6A，10V | FET 类型 | N 通道 |
| 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 50µA | 安装类型 | 通孔 |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1000pF @ 25V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 500V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 39nC @ 10V |
STP12NM50手册
STP12NM50概述
STP12NM50 产品概述
产品简介
STP12NM50 是意法半导体（STMicroelectronics）开发的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其具备极为出色的导通电阻、功率耗散能力及工作温度范围，是各类功率电子应用的重要选择。它采用 TO-220 封装方式，适合于高功率、高电压的应用场景，为用户提供了优秀的散热性能和可靠的电气性能。
关键参数
导通电阻: STP12NM50 在 6A、10V 的工作条件下，最大导通电阻 (Rds On) 为 350 毫欧。这一参数在低损耗、高效率的电路设计中至关重要，可以有效降低功率损耗，提升整体效率。
漏极电流: 在 25°C 的环境温度下，该MOSFET可持续承载最多 12A 的连续漏极电流 (Id)，这使其在负载条件较高的应用中也能稳定工作。
功率耗散: 该器件的最大功率耗散能力可达 160W（在 Tc 的条件下），满足严苛条件下的应用需求，保证了器件的稳定性与可靠性。
工作温度范围: STP12NM50 的工作温度范围为 -65°C 至 150°C，广泛适应于从严寒地区到高温环境的各种应用，有效提升了设计的灵活性和适用性。
漏源电压: STP12NM50 的漏源电压 (Vdss) 可承受高达 500V，使其适用于高电压电路，保障电路安全。
门极-源极阈值电压: 它的阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 5V，意味着在低电压条件下也能可靠开启，对电路设计特别友好。
输入电容: 随着不同漏源电压下的输入电容 (Ciss) 最大值可达到 1000pF @ 25V，降低开关损耗，提升开关速度。
栅极电荷: 在 10V 条件下，栅极电荷 (Qg) 最大值为 39nC，这有助于减少驱动电路所需的能量，进一步提升系统效率。
应用领域
STP12NM50 由于其优异的电气特性和高耐压能力，广泛应用于以下领域：
开关电源: 适合用于高效率的开关电源电路设计中，减少能量损失，提升整体电源的转换效率，尤其是在计算机电源、充电器和工业电源中。
逆变器: 在光伏逆变器和其他能源转换应用中，STP12NM50 的高耐压能力和快速开关特性使其成为一种理想选择。
电机驱动: 适用于直流电机驱动和步进电机控制中，通过有效控制电流和电压，提升电机的性能和响应速度。
电源管理: 在电源转换和电源管理应用中，将其使用于电能转换、调节和优化，提高系统的稳定性和效率。
总结
STP12NM50 N 通道 MOSFET 是一款结合了高电压、高电流和低导通电阻等诸多优点的高性能功率器件，适用于多种工业和商业领域。其 TO-220 封装提供了良好的散热设计支持，确保器件在高功率应用中的可靠性。对于追求效率与稳定性的电子设计工程师而言，STP12NM50 是一个值得信赖的选择。无论是用于开关电源、逆变器还是电机驱动，STP12NM50 都能够为系统带来更加出色的性能表现。