功率(Pd) | 1.6W | 反向传输电容(Crss@Vds) | 5.5pF@25V |
商品分类 | 场效应管(MOSFET) | 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.6Ω@10V,1A |
工作温度 | -50℃~+150℃@(Tj) | 栅极电荷(Qg@Vgs) | 8.5nC@10V |
漏源电压(Vdss) | 400V | 类型 | 1个N沟道 |
输入电容(Ciss@Vds) | 400pF@25V | 连续漏极电流(Id) | 4.2A |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA |
AOD5N40是一款由AOS(Advanced Onsemi Solutions)生产的高性能N沟道MOSFET,具有出色的电气特性,专为高效电源管理和开关应用而设计。随着现代电子设备对功率密度和能效的持续需求,该型号MOSFET的使用范围涵盖了电源转换、马达驱动、LED驱动和其他功率控制领域。
电气规格:
封装与尺寸:
反向恢复特性:
开关特性:
AOD5N40适用于多种高效能的电子设备和电路,主要应用如下:
开关电源(SMPS):
LED照明驱动电路:
马达控制:
工业自动化设备:
高效能:
稳健的可靠性:
灵活性强:
AOD5N40是一款卓越的N沟道MOSFET,凭借其高电压、大电流及低R_DS(on)的特性,提供了良好的电源转换效率和热管理。这使得它在现代电子产品中得到了广泛应用,成为设计师在选择功率控制器件时的重要参考。从LED驱动到工业自动化设备,AOD5N40具有出色的性能和广泛的适用性,能够满足未来越来越高的能效和性能要求。