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IRFRC20TRPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-252-3
包装 :
编带
重量 :
0.517g
描述 :
场效应管(MOSFET) 2.5W；42W 600V 2A 1个N沟道 TO-252
库存 :
9501(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
3.44按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.44
--
100+
￥2.64
--
1000+
￥2.31
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFRC20TRPBF参数
| 制造商 | Vishay Siliconix | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.4 欧姆 @ 1.2A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 350pF @ 25V |
| 基本产品编号 | IRFRC20 |
IRFRC20TRPBF手册
无数据
IRFRC20TRPBF概述
产品概述
产品名称: IRFRC20TRPBF
制造商: Vishay Siliconix
类型: N 通道 MOSFET
概述
IRFRC20TRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，设计用于各种电力电子应用。这款MOSFET的主要特点包括高耐压、低导通电阻和宽工作温度范围，是现代电源管理系统、DC-DC转换器和自动化设备的理想选择。根据制造商Vishay Siliconix的规格，该器件的漏源电压（Vdss）可达到600V，适合大多数高压应用，具有出色的电流承载能力和热性能。
关键参数
电流承载能力:
- IRFRC20 在25°C的条件下能够提供高达2A的连续漏极电流（Id），在组件的散热条件下（Tc）可承受高达42W的功率耗散，这使得其在高负载条件下也能稳定工作。
导通电阻:
- 在1.2A的电流条件下，其最大导通电阻为4.4Ω，能有效降低在工作过程中的能量损耗，提高系统效率。
门极驱动电压:
- 该MOSFET的最大栅极驱动电压为10V，在这个电压下可以实现最小的导通电阻，这优化了开关效率。此外，值为-20V到+20V的栅源电压（Vgs）范围为用户提供了灵活的设计选项。
耐温范围:
- IRFRC20可在-55°C到150°C的工作环境下可靠工作，这使得它在恶劣环境下的应用具有较强的适应性，适合工业、汽车等领域的应用。
封装和安装类型:
- 该元件采用TO-252（D-Pak）封装，表面贴装设计，方便与现代电子电路的集成，确保良好的散热性能。
输入特性:
- IRFRC20 的输入电容值（Ciss）约为350pF（在25V时测得），以及在10V下最大栅极电荷（Qg）为18nC，确保MOSFET在高速开关时的性能稳定。
应用领域
IRFRC20TRPBF MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源: 在电源管理中，此MOSFET能够高效控制电流，提供稳定的输出。
- DC-DC转换器: 由于其高压特性和低导通阻抗，IRFRC20非常适合用于各种DC-DC转换器。
- 电动机驱动: 可以作为电动机驱动电路中的开关元件，尤其是在需要高电压的情况下。
- 电池管理系统: 其高电压和低功耗特性使得它在电池充电和管理电路中表现出色。
- 自动化和电气控制: 在自动化系统中，该MOSFET可用于控制电器、传感器等设备。
总结
IRFRC20TRPBF是一款由Vishay Siliconix生产的高效能N通道MOSFET，凭借其高耐压、低导通电阻和宽工作温度范围，成为电力电子领域的热门选择。其可靠的性能和广泛的应用范围使得该器件在现代电子设计中占有重要地位。通过采用IRFRC20，工程师们能够在设计中实现更高的效率和稳定性，为客户提供更优质的产品。