PDTD114ETR
PDTD114ETR参数
| 制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 70 @ 50mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 100mV @ 2.5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | TO-236AB |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 10 kOhms | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 kOhms |
| 频率 - 跃迁 | 225MHz | 功率 - 最大值 | 320mW |
PDTD114ETR手册
PDTD114ETR概述
PDTD114ETR 产品概述
1. 引言 PDTD114ETR 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款高性能数字晶体管，专为现代电子应用而设计。作为一款 NPN 类型的预偏置晶体管，PDTD114ETR 具备良好的电气性能和稳定性，适用于各种工业和消费电子产品中，如开关电源、信号放大和数字电路。
2. 基本参数 PDTD114ETR 的主要电气特性包括：
- 电流 - 集电极 (Ic): 最大值可达 500mA，适合大多数低功耗应用。
- 电压 - 集射极击穿 (Vce): 最大值为 50V，使其能在相对较高的电压环境中稳定工作。
- 功率 - 最大值: 320mW，为广泛应用提供足够的功率头部。
- 频率 - 跃迁: 高达 225MHz，使其适用于高速数字信号处理。
3. DC 电流增益 (hFE) 在不同的 Ic（集电极电流）和 Vce（集射极电压）条件下，PDTD114ETR 的 DC 电流增益表示为最小值的 70，具体情况为在 50mA 集电极电流，5V 集射极电压下测得。高增益值增加了信号放大的能力，使其在低信号条件下仍能可靠工作。
4. 饱和压降 PDTD114ETR 具有优异的饱和压降特性。在 2.5mA 基极电流和 50mA 集电极电流时，Vce 饱和压降最大为 100mV。这一小的饱和压降有利于降低功耗，提高整体电路效率，并提升器件的热稳定性。
5. 电流 - 集电极截止 PDTD114ETR 的集电极截止电流(max)为 500nA，表现出极好的关断特性。这对于降低待机功耗尤其重要，且对电池供电的便携式设备尤为有利。
6. 安装类型与封装 PDTD114ETR 采用表面贴装型（SMD）设计，封装主要为 SOT-23。该封装不仅在尺寸上具有紧凑性，还便于自动化贴装，满足现代电子产品对小型化和轻量化的要求。TO-236AB 标准封装有助于提高元器件的散热性能，进一步增强其长期稳定性。
7. 应用场景 PDTD114ETR 作为一款高效的数字晶体管，广泛应用于：
- 开关电源: 用于电源管理电路中，实现高效的电源开关控制。
- 信号放大: 在各种模拟和数字信号处理链路中作为放大器，提升信号强度。
- 逻辑电路: 用于数字逻辑电路的开关元件，提高电路的响应速度和性能。
- 微控制器接口: 作为微控制器的输出接口，驱动更大负载。
8. 性能优势 PDTD114ETR 提供了一系列优于同行业产品的性能优势，包括：
- 高 DC 电流增益与低 Vce 饱和压降，增强了功率效率与可靠性。
- 适应性强，能在较宽的电压和温度范围内稳定工作。
- 适合自动化生产线的高集成度SMD封装，降低了生产成本。
- 可广泛应用于多种电子设备，满足了市场的多样化需求。
9. 结论 PDTD114ETR 是一款高效、可靠的 NPN 数字晶体管，凭借其优越的电气性能及紧凑的 SOT-23 封装，成为现代电子设计的理想选择。无论是在开关电源、信号放大还是逻辑电路中，PDTD114ETR 的应用将为设计师提供更大的灵活性和性能提升，是追求效率与可靠性的电子工程师的良好伙伴。