通道数 | 2 | 电压 - 隔离 | 2500Vrms |
电流传输比(最小值) | 100% @ 10mA | 电流传输比(最大值) | 200% @ 10mA |
接通 / 关断时间(典型值) | 7.5µs,5.7µs | 上升/下降时间(典型值) | 3.2µs,4.7µs |
输入类型 | DC | 输出类型 | 晶体管 |
电压 - 输出(最大值) | 70V | 电流 - 输出/通道 | 150mA |
电压 - 正向 (Vf)(典型值) | 1.25V | 电流 - DC 正向 (If)(最大值) | 60mA |
Vce 饱和压降(最大) | 400mV | 工作温度 | -40°C ~ 100°C |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
概述: MOCD207R2M 是一款高性能的晶体管输出光耦合器,广泛应用于电子控制、信号隔离和电力电子领域。作为安森美(ON Semiconductor)的一款优秀产品,MOCD207R2M 提供出色的电气性能和可靠的隔离能力,能够有效地传输信号,同时保证不同电路之间的电气隔离,从而提高系统的安全性和稳定性。
基础参数: MOCD207R2M 具备 2 通道设计,能够以高达 2500Vrms 的电压隔离性能工作,适用于需要安全隔离的应用场合。在电流传输比方面,该光耦合器在 10mA 负载下,传输比最小可达 100%,最大可达 200%,这确保了信号的高保真度和低失真特性。此外,其输出电压最大为 70V,输出电流可达 150mA,适合大多数工业应用的要求。
时效特性: 在切换速度方面,MOCD207R2M 的接通和关断时间典型值为 7.5µs 和 5.7µs,分别展现了其在快速信号传输需求下的出色表现。上升时间和下降时间的典型值为 3.2µs 和 4.7µs,进一步确保了快速信号处理的灵活性,尤其适合用于高频率切换的应用场景。
电气特性: 该光耦固态器件的正向电压(Vf)典型值为 1.25V,而最大直流正向电流(If)为 60mA,提供了良好的电流驱动能力,能够适应各种应用环境。其 Vce 饱和压降最大值为 400mV,这有助于提升工作效率,降低功耗。
环境适应性: MOCD207R2M 的工作温度范围广泛,从 -40°C 到 100°C,确保产品在不同环境条件下的可靠性和稳定性。这使得它能够在极端环境中如工业、汽车和商业设备中正常运作。
封装与安装: 该产品采用 8-SOIC 封装,尺寸为 0.154 英寸(3.90mm 宽),非常适合表面贴装程序。小型化的封装设计使其在空间受限的应用中具有良好的适应性。此外,使用 SOIC 封装还简化了组装过程,提升了生产效率。
应用领域: MOCD207R2M 可广泛应用于各种行业,包括但不限于:
总结: 整体来看,MOCD207R2M 是一款优秀的晶体管输出光耦,其出色的电气特性、宽广的工作温度范围以及灵活的封装设计使其适合于多种应用场景。该产品以其高效能和可靠性为用户提供了解决方案,满足市场对高隔离度和高速信号传输的需求。无论是用于工业控制、家电、还是通讯设备,MOCD207R2M 都能提供卓越的性能和可靠的保护,是工程师们在设计高效、可靠系统时值得考虑的选择。