STGF19NC60KD

STGF19NC60KD 产品概述

1. 产品简介

STGF19NC60KD是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管（IGBT），其具有较高的集电极电流和击穿电压，适用于各种中高功率应用。这款IGBT管/模块的最高集电极电流可达16A，适合要求较高的电流控制应用。同时，其最大集射极击穿电压为600V，确保了在高电压环境下的稳定运行，该器件的功率最大值为32W，适合用于需要较高功率密度的场合。

2. 主要特性

• 电流与电压参数：
  • 最大集电极电流（Ic）：16A
  • 最大集射极击穿电压（Vce）：600V
  • 瞬态脉冲电流（Icm）：75A
• 导通压降：
  • 在特定条件下（Vge=15V，Ic=12A）时，导通电压（Vce(on)）约为2.75V，这在高效能转换中起到了积极的作用，为功耗管理提供了良好的基础。
• 开关能量损耗：
  • 开关能量损耗表现为165µJ（开）和255µJ（关），显示出在高频率开关操作下的优越性能。
• 电流与电压响应：
  • 栅极阈值电压（VGE(th)）为6.5V，在250µA时可稳定开启，确保了可靠的控制和操作。
  • 输入类型为标准，栅极电荷为55nC，这意味着该器件可以通过适度的栅极驱动实现高效开关，这在驱动电路设计时可降低对驱动电流的要求。

3. 动态特性

• 开关速度：
  • 该器件在开关时，具有快速的开关时间，开启和关闭时间分别为30ns和105ns，这使得STGF19NC60KD在高频应用中表现出色，适合用于逆变器、PWM控制以及其他高频操作场合。
• 反向恢复时间：
  • 它的反向恢复时间(trr)为31ns，这意味着在转换过程中可以有效减少由逆向恢复引起的反向电流，从而提升系统的整体效率和稳定性。

4. 温度与封装

• 工作温度范围：
  • STGF19NC60KD在-55°C至150°C的宽广工作温度范围内稳定工作，可适用于恶劣的环境条件。
• 封装与安装类型：
  • 采用TO-220-3整包封装，该类型的封装设计不仅便于安装，而且提供了有效的散热性能，适合高功率应用的散热需求。

5. 应用领域

STGF19NC60KD广泛应用于多种电力电子设备中，如：

• 光伏逆变器
• 电动汽车驱动
• 工业电机驱动
• 电源转换器
• 定频与变频控制系统

6. 总结

STGF19NC60KD是意法半导体推出的一款高效、安全、可靠的IGBT器件，具有优良的开关特性和电气性能，能够满足现代电力电子系统的高标准需求。其高电流承受能力、优秀的导通压降以及快速的动态响应使其成为各种高功率应用的理想选择，为工程师在设计高效能的电力转换系统时提供了强有力的支持。