STD5NK40ZT4
STD5NK40ZT4参数
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 305pF @ 25V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） | Vgs（最大值） | ±30V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 漏源电压（Vdss） | 400V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 1.5A，10V |
STD5NK40ZT4手册
STD5NK40ZT4概述
STD5NK40ZT4 产品概述
STD5NK40ZT4 是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。作为一款出色的电子元器件，STD5NK40ZT4广泛应用于电源管理和开关电源等领域，特别是在需要高电压和低功耗的场合。以下是该产品的详细规格、特性及其应用场景的综合分析。
基本参数
STD5NK40ZT4的主要标称参数包括：
- 连续漏极电流（Id）: 3A (在工作温度下)
- 漏源电压（Vdss）: 400V
- 功率耗散（Pd）: 45W
- 输入电容（Ciss）: 最大305pF @ 25V
- 栅极电荷（Qg）: 最大17nC @ 10V
这些参数表明STD5NK40ZT4是一款具有良好电气性能的MOSFET，它能够在高电压环境下稳定工作，适合用于高频率和高效能的电力电子应用。
性能特点
高耐压与高电流能力: 由于其400V的漏源电压能力和3A的持续漏极电流能力，STD5NK40ZT4特别适合在要求高压大电流的复杂电路模块中应用，能够满足现代电源设计的严苛要求。
低导通电阻: 最大导通电阻Rds(on)为1.8Ω（在1.5A，Vgs=10V条件下），这一特性确保了其在通断状态下具有更低的功耗和热损耗，从而提升了整体效率。
宽工作温度范围: STD5NK40ZT4支持-55°C至150°C的工作温度范围，适合各种环境条件，尤其是在工业及汽车电子应用中的高温或低温环境。
快速开关特性: 其栅极电荷小（最大仅17nC），使得在驱动时具备快速开关能力，能够在高频率下运行，适合用于开关电源。
卓越的输入电容表现: 在25V的工作条件下，输入电容为最大305pF，使得驱动电路设计较为简单，帮助减小驱动负担，从而提高系统的稳定性和可靠性。
应用领域
STD5NK40ZT4广泛适用于多个电子应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 在AC-DC和DC-DC转换器中，用于高效能的电源管理。
- 电机驱动: 在各种电机控制和驱动电子设备中，作为功率开关。
- 车载电子: 作为汽车电子系统中的高压开关，适应各种汽车环境，并满足严苛的电气性能要求。
- 消费电子: 在个人电子产品中，实现智能控制和高效能供电。
- LED驱动: 应用于LED照明系统中的亮度调节和功率控制。
结论
总体来看，STD5NK40ZT4是一款具备超高性能和卓越稳定性的N沟道MOSFET，集成了高电压、大电流、低功耗等多种优点，适合广泛的应用需求。其出色的技术规格和适用范围，使其成为设计高效电源和驱动电路中的理想选择。通过选择STD5NK40ZT4，工程师们能够为他们的设计提供可靠的解决方案，确保高效的工作性能和卓越的电气特性。