STP100N6F7
STP100N6F7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.6 毫欧 @ 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1980pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP100N6F7手册
STP100N6F7概述
STP100N6F7 产品概述
STP100N6F7 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一种高性能 N 通道 MOSFET（场效应管），特别设计用于高电流、高电压应用。这款器件的关键参数确保其在极端环境和高功率应用中表现卓越，广泛应用于电力电子、功率管理及转换器等领域。
主要参数
漏源电压 (Vdss): STP100N6F7 支持高达 60V 的漏源电压，使其适用于多种高压应用场景。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的条件下，这款 MOSFET 能够承受高达 100A 的连续漏极电流，表现出良好的电流承载能力，适合用于大功率传输和控制。
驱动电压: 该器件的最小驱动电压为 10V，意味着在此电压下可达到最大 Rds(on)，达到较低的导通电阻。
导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 的栅极驱动下，STP100N6F7 的导通电阻最大值为 5.6 毫欧，这对于降低功耗和提高效率至关重要。在高电流（50A）下，其导通电阻的表现尤为优秀，有助于减小发热和损耗。
开启阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的条件下，Vgs(th) 最大值为 4V，适用于低电压开关和控制应用，有效提高系统的可靠性。
栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅极驱动下，栅极电荷的最大值为 30nC，意味着其在开关操作时的效率较高，有助于实现快速开关，降低开关损耗。
输入电容 (Ciss): 在 25V 时，输入电容最大值为 1980pF，保证了在高频操作时的稳定性能。
功率耗散: STP100N6F7 最大功率耗散为 125W，适用于高功率应用的散热需求，确保在复杂的电气条件下的稳定工作。
工作温度范围: 其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，能承受恶劣环境条件，适合运输和工业等应用。
封装类型: 该产品采用 TO-220-3 封装，具备良好的散热性能，适合通孔安装，方便在电路板上进行布局。
应用场景
STP100N6F7 适用于多种高功率电子应用，例如：
- 电源转换器: 可用于变换器电路、逆变器以及其他电源管理系统，提供高效稳定的电源输出。
- 电机驱动: 在各类电机控制应用中，作为开关元件，STP100N6F7 能够有效控制电机的起停和速度调节。
- 电动汽车: 得益于其高电流和高耐压特性，此器件在电动汽车的驱动系统中的应用前景广阔。
- 工业控制: 在各种工业自动化控制系统中，作为开关元件，保证系统稳定运行。
结论
STP100N6F7 是一款优秀的 N 通道 MOSFET，凭借其高电流、高压、低导通电阻及广泛的工作温度范围，使其成为了优质电力电子应用中不可或缺的组件。意法半导体通过STP100N6F7 将高效能与可靠性结合，为客户提供了理想的解决方案。不论是在电源管理、工业控制还是电动汽车领域，STP100N6F7 都展现出了优越的技术优势和应用灵活性。