DMT3004LFG-7 产品实物图片
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DMT3004LFG-7

商品编码: BM0000003135
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
PowerDI3333-8
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.01
按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.01
--
100+
¥2.32
--
1000+
¥2.01
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMT3004LFG-7参数

FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10.4A(Ta),25A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.5 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)44nC @ 10V
Vgs(最大值)+20V,-16V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)2370pF @ 15V
功率耗散(最大值)2.1W(Ta),42W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerDI3333-8
封装/外壳8-PowerVDFN

DMT3004LFG-7手册

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DMT3004LFG-7概述

DMT3004LFG-7 产品概述

1. 产品简介

DMT3004LFG-7 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,专为高效率开关电源和功率管理应用而设计。其突出的电气特性和优越的散热性能,使其成为现代电子设计中理想的选择,特别是在需要高电流和高效能的场合。

2. 主要规格

  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物场效应管)
  • 漏源电压 (Vdss):30V
  • 工作电流
    • 25°C 时连续漏极电流 (Id):10.4A(在环境温度下),25A(在晶体管温度下)
  • 驱动电压:支持 4.5V 和 10V 两种驱动电压以实现最佳导通电阻
  • 导通电阻 (Rds On)
    • 最大值:4.5 毫欧 @ 20A, 10V
  • 阈值电压 (Vgs(th)):最大值 3V @ 250µA
  • 栅极电荷 (Qg):最大值 44nC @ 10V
  • 栅源电压 (Vgs):最大值 +20V,最小值 -16V
  • 输入电容 (Ciss):最大值 2370pF @ 15V
  • 功率耗散
    • 在环境温度下:最大值 2.1W
    • 在晶体管温度下:最大值 42W
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 封装类型:8-PowerVDFN
  • 安装类型:表面贴装型

3. 应用领域

DMT3004LFG-7 的设计使其特别适合于以下应用:

  • 开关电源:由于其较低的导通电阻和高电流承载能力,非常适合用作 DC-DC 转换器中的开关元件。
  • 电动车和混合动力车:支持高充电和放电电流,非常适合电动和混合动力汽车的动力管理系统。
  • 电源管理 IC:在高效电源管理解决方案中,作为功率开关,DMT3004LFG-7 可以有效降低功率损耗。
  • 用于电池管理和充电电路:其宽广的工作温度范围使其在严苛环境下也能保持稳定的性能。
  • 家电控制系统:在智能家居和传统家电中,作为控制电路的关键元件。

4. 性能优势

DMT3004LFG-7 的设计提供了以下几项显著优势:

  • 卓越的导通能力:超低的 Rds On 确保了更小的功耗和更高的效率,特别是在高电流应用中。
  • 宽工作温度范围:提供从 -55°C 到 150°C 的工作能力,适应极端气候环境,保障设备的可靠性。
  • 良好的散热性能:在设计中考虑了功率损耗的影响,确保高于 42W 的功率耗散能力,有效减少过热问题。
  • 高可靠性:采用高质量材料和先进技术,DMT3004LFG-7 提供稳定的性能,能够满足各种工业和消费类应用的需求。

5. 结论

DMT3004LFG-7 是一款先进的 N 通道 MOSFET,结合了高电流处理能力和低功耗特性,是开关电源及功率管理系统的理想选择。其出色的电气性能、宽广的温度范围及可靠性,确保了产品在各种应用中的稳定性。同时,其小型封装设计也方便了在现代高密度电子设备中的集成。无论是在汽车、消费电子还是工业控制系统中,DMT3004LFG-7 都能展现出卓越的性能表现,推动更高效、更可靠的电子产品创新。