FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.4A(Ta),25A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 4.5 毫欧 @ 20A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 44nC @ 10V |
Vgs(最大值) | +20V,-16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 2370pF @ 15V |
功率耗散(最大值) | 2.1W(Ta),42W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerDI3333-8 |
封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
DMT3004LFG-7 是由美台(DIODES)公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET,专为高效率开关电源和功率管理应用而设计。其突出的电气特性和优越的散热性能,使其成为现代电子设计中理想的选择,特别是在需要高电流和高效能的场合。
DMT3004LFG-7 的设计使其特别适合于以下应用:
DMT3004LFG-7 的设计提供了以下几项显著优势:
DMT3004LFG-7 是一款先进的 N 通道 MOSFET,结合了高电流处理能力和低功耗特性,是开关电源及功率管理系统的理想选择。其出色的电气性能、宽广的温度范围及可靠性,确保了产品在各种应用中的稳定性。同时,其小型封装设计也方便了在现代高密度电子设备中的集成。无论是在汽车、消费电子还是工业控制系统中,DMT3004LFG-7 都能展现出卓越的性能表现,推动更高效、更可靠的电子产品创新。